| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 1 绪论 | 第12-38页 |
| ·一维金属纳米材料的研究进展 | 第12-22页 |
| ·一维金属纳米材料的种类 | 第12-16页 |
| ·一维金属纳米材料的合成方法及其生长机理 | 第16-19页 |
| ·一维金属纳米线的性能与应用 | 第19-22页 |
| ·一维纳米结构可控制备的研究进展 | 第22-31页 |
| ·可控制备一维纳米结构的主要研究内容 | 第22-25页 |
| ·可控制备一维纳米结构的制备技术 | 第25-26页 |
| ·可控制备一维纳米结构的生长机制 | 第26-31页 |
| ·一维W纳米材料的可控制备的研究进展 | 第31-35页 |
| ·气相沉积法 | 第32-33页 |
| ·电子束诱导法 | 第33-34页 |
| ·蚀刻法 | 第34页 |
| ·溅射法 | 第34-35页 |
| ·自组装法 | 第35页 |
| ·模板法 | 第35页 |
| ·本文的研究内容及其意义 | 第35-38页 |
| 2 Ni催化气相沉积法制备W纳米线及其生长机理的研究 | 第38-56页 |
| ·前言 | 第38-39页 |
| ·实验部分 | 第39-43页 |
| ·实验原料 | 第39-40页 |
| ·实验设备及用途 | 第40页 |
| ·实验方法 | 第40-42页 |
| ·表征检测仪器及其用途 | 第42-43页 |
| ·气相沉积催化制备W纳米线的研究 | 第43-50页 |
| ·磁控溅射法气相沉积催化制备W纳米线 | 第43-47页 |
| ·化学法气相沉积催化制备W纳米线的研究 | 第47-50页 |
| ·生长机理讨论 | 第50-53页 |
| ·本章小结 | 第53-56页 |
| 3 一维W纳米结构阵列可控制备的研究 | 第56-74页 |
| ·前言 | 第56-58页 |
| ·W纳米线阵列直径可控的研究 | 第58-62页 |
| ·催化剂的影响 | 第59-61页 |
| ·N_2流量的影响 | 第61-62页 |
| ·W纳米线阵列长度可控的研究 | 第62-64页 |
| ·W纳米线阵列密度可控的研究 | 第64-68页 |
| ·催化剂的影响 | 第64-67页 |
| ·WO_3粉末粒径的影响 | 第67-68页 |
| ·W纳米线阵列形貌可控的研究 | 第68-73页 |
| ·生长温度的影响 | 第69-71页 |
| ·基片材料的影响 | 第71-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 4 四方结构W纳米线阵列的制备及其生长机理的研究 | 第74-96页 |
| ·前言 | 第74页 |
| ·四方结构W纳米线阵列的制备设备 | 第74-77页 |
| ·磁控溅射镀膜系统 | 第75-76页 |
| ·双温区真空管式炉系统 | 第76-77页 |
| ·四方结构W纳米线阵列的制备 | 第77-79页 |
| ·四方结构W纳米线阵列的表征 | 第79-82页 |
| ·生长条件对四方结构W纳米线阵列的影响 | 第82-91页 |
| ·催化剂对四方结构W纳米线阵列的影响 | 第83-85页 |
| ·生长温度对四方结构W纳米线阵列的影响 | 第85-87页 |
| ·生长时间对四方结构W纳米线阵列的影响 | 第87-90页 |
| ·气体流速和压强对四方结构W纳米线阵列生长的影响 | 第90-91页 |
| ·四方结构W纳米线阵列生长机理的研究 | 第91-94页 |
| ·本章小结 | 第94-96页 |
| 5 Cu催化气相沉积制备W纳米线阵列的研究 | 第96-106页 |
| ·前言 | 第96页 |
| ·实验部分 | 第96-97页 |
| ·实验原料 | 第96页 |
| ·实验过程与步骤 | 第96-97页 |
| ·实验结果与讨论 | 第97-104页 |
| ·Cu纳米催化颗粒的表征 | 第97-98页 |
| ·W纳米线的表征 | 第98-100页 |
| ·生长条件对Cu催化W纳米线阵列影响的研究 | 第100-103页 |
| ·生长机理讨论 | 第103-104页 |
| ·本章小结 | 第104-106页 |
| 6 结论 | 第106-108页 |
| 参考文献 | 第108-124页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第124-126页 |
| 致谢 | 第126页 |