| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| ·课题的背景及意义 | 第9-10页 |
| ·国内外研究动态 | 第10-12页 |
| ·本论文主要研究内容 | 第12-13页 |
| 第二章 MOS 管总剂量辐射效应研究 | 第13-26页 |
| ·辐射效应概述 | 第13-16页 |
| ·电离辐射效应 | 第13-15页 |
| ·总剂量辐射效应 | 第13-14页 |
| ·瞬时辐射效应 | 第14页 |
| ·单粒子效应 | 第14页 |
| ·剂量增强效应 | 第14-15页 |
| ·低剂量率效应 | 第15页 |
| ·位移辐射效应 | 第15-16页 |
| ·MOS 管的总剂量辐射效应 | 第16-20页 |
| ·辐射诱生氧化层陷阱电荷及其物理模型 | 第16-18页 |
| ·辐射诱生 Si/SiO2 界面态电荷及其物理模型 | 第18-20页 |
| ·总剂量效应对 MOS 管主要性能参数的影响 | 第20-25页 |
| ·总剂量效应对 MOS 管阈值电压的影响 | 第20-22页 |
| ·总剂量效应对 MOS 管关态电流的影响 | 第22-25页 |
| ·单管寄生管电流泄漏路线 | 第22-23页 |
| ·晶体管-晶体管电流泄漏路线 | 第23-24页 |
| ·晶体管-阱电流泄漏路线 | 第24-25页 |
| ·总剂量效应对 MOS 管其它参数的影响 | 第25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 微弱电流信号读出电路对总剂量辐射敏感 MOS 管的研究 | 第26-33页 |
| ·微弱电流信号读出电路 | 第26-32页 |
| ·几种典型的 CMOS 读出电路结构 | 第28-30页 |
| ·CTIA 型读出电路实际结构与工作方式 | 第30-32页 |
| ·CTIA 型读出电路对总剂量辐射敏感的 MOS 管 | 第32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 MOS 管抗总剂量辐射加固措施的研究 | 第33-46页 |
| ·抗总剂量辐射加固措施总括 | 第33-37页 |
| ·CTIA 型读出电路中开关管抗总剂量辐射加固措施的研究 | 第37-45页 |
| ·常用版图加固结构 | 第38-39页 |
| ·新型版图加固结构 | 第39-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 抗总剂量辐射加固措施有效性的 TCAD 验证 | 第46-55页 |
| ·关于 TCAD 仿真 | 第46页 |
| ·总剂量辐射仿真的实现及仿真参数的选取 | 第46-48页 |
| ·环栅-P 栅切割结构、“+”栅结构、 栅结构 MOS 管的仿真 | 第48-54页 |
| ·环栅普通切割结构与环栅-P 栅切割结构 MOS 管的仿真 | 第49-51页 |
| ·“+”栅结构 MOS 管的仿真 | 第51-52页 |
| ·I 栅结构 MOS 管的仿真 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第六章 结论 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第60-61页 |
