| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-30页 |
| ·薄膜晶体管的基本概念 | 第10-14页 |
| ·薄膜晶体管典型器件结构 | 第10页 |
| ·薄膜晶体管的工作机理 | 第10-12页 |
| ·薄膜晶体管的性能参数 | 第12-13页 |
| ·薄膜晶体管的 I-V 特性 | 第13-14页 |
| ·薄膜晶体管的发展历程及研究现状 | 第14-21页 |
| ·薄膜晶体管发展历程 | 第14-19页 |
| ·薄膜晶体管近十年发展的现状 | 第19-21页 |
| ·薄膜晶体管的主要类型及其各自特点分析 | 第21-25页 |
| ·a-Si：H（氢化非晶硅）薄膜晶体管 | 第21-22页 |
| ·p-Si(多晶硅)薄膜晶体管 | 第22-23页 |
| ·有机物薄膜晶体管 | 第23页 |
| ·氧化物薄膜晶体管 | 第23-25页 |
| ·ITO 薄膜 | 第25-26页 |
| ·ITO 薄膜的基本性质 | 第25页 |
| ·ITO 薄膜电学参数的关系 | 第25-26页 |
| ·ITO 薄膜的应用 | 第26页 |
| ·课题研究背景及内容 | 第26-30页 |
| ·课题选取的背景 | 第27页 |
| ·ITO 薄膜晶体管发展面临的问题 | 第27-28页 |
| ·本论文的主要内容 | 第28-30页 |
| 第2章 薄膜晶体管制备工艺以及测试分析方法 | 第30-41页 |
| ·器件衬底的选择以及清洗 | 第30-31页 |
| ·衬底的选择 | 第30页 |
| ·衬底的清洗 | 第30-31页 |
| ·栅极、源漏电极的选择以及制备工艺 | 第31-32页 |
| ·栅极、源漏电极的选择 | 第31页 |
| ·栅极、源漏电极的薄膜制备工艺 | 第31-32页 |
| ·栅介质材料的选择以及制备工艺 | 第32-35页 |
| ·栅介质材料的选择 | 第32-33页 |
| ·栅介质的制备工艺 | 第33-35页 |
| ·沟道层材料的选择和制备工艺 | 第35-38页 |
| ·沟道材料的选择 | 第35-36页 |
| ·ITO 沟道的制备工艺 | 第36-38页 |
| ·薄膜晶体管的光学特性分析 | 第38-39页 |
| ·薄膜晶体管电学性能分析技术 | 第39-41页 |
| ·半导体分析仪 | 第39页 |
| ·阻抗分析仪 | 第39-40页 |
| ·霍尔效应分析仪 | 第40-41页 |
| 第3章 实验制备ITO 薄膜晶体管及性能检测 | 第41-50页 |
| ·实验制备ITO 薄膜晶体管 | 第41-43页 |
| ·清洗硅片衬底 | 第41页 |
| ·制备SiO_2 栅介质 | 第41-42页 |
| ·制备ITO 沟道层 | 第42-43页 |
| ·制备ITO 源漏电极 | 第43页 |
| ·ITO TFTs 器件的性能检测 | 第43-45页 |
| ·介孔二氧化硅及双电荷层理论 | 第45-49页 |
| ·介孔二氧化硅薄膜结构 | 第45-46页 |
| ·双电荷层理论 | 第46-47页 |
| ·电容和频率关系的讨论 | 第47-49页 |
| ·总结 | 第49-50页 |
| 第4章 一步掩膜工艺制备低工作电压ITO TFTs | 第50-59页 |
| ·LiCl 溶液浸泡处理对器件电容的影响 | 第50-52页 |
| ·实验制备样品 | 第50-51页 |
| ·分析电容和LiCl 溶液浓度的关系 | 第51-52页 |
| ·一步掩膜工艺制备ITO 薄膜晶体管 | 第52-53页 |
| ·器件的电学性能检测结果 | 第53-56页 |
| ·器件低工作电压的讨论 | 第56-58页 |
| ·低电压工作原理 | 第56-57页 |
| ·栅介质的讨论 | 第57-58页 |
| ·本章总结 | 第58-59页 |
| 结论与展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 致谢 | 第64页 |