| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-25页 |
| ·SiGe 材料的研究进展 | 第12-15页 |
| ·SiGe/Si 多量子阱材料 | 第12-14页 |
| ·Ge 纳米岛材料和高组分表面起伏的多量子阱 | 第14-15页 |
| ·外延Ge 材料 | 第15页 |
| ·SiGe/Si 多量子阱材料的性质 | 第15-18页 |
| ·器件结构的选择 | 第18-21页 |
| ·PIN 光电二极管 | 第18-19页 |
| ·波导探测器 | 第19-20页 |
| ·RCE 探测器 | 第20-21页 |
| ·HPT 探测器 | 第21页 |
| ·本论文的创新点和主要工作 | 第21-22页 |
| 参考文献 | 第22-25页 |
| 第二章 波导共振腔增强型探测器的基本理论和结构设计 | 第25-50页 |
| ·RCE 探测器自恰解析理论 | 第25-31页 |
| ·RCE 探测器的量子效率特性分析 | 第26-29页 |
| ·RCE 探测器的波长选择作用 | 第29-31页 |
| ·RCE 探测器的驻波效应 | 第31页 |
| ·RCE 探测器的高频特性 | 第31页 |
| ·介质平面波导理论 | 第31-42页 |
| ·麦克斯韦方程和边界条件 | 第34-35页 |
| ·二维平板波导 | 第35-37页 |
| ·SiGe 多量子阱平板波导 | 第37-40页 |
| ·三维波导 | 第40-42页 |
| ·RCE 探测器传输矩阵模拟方法 | 第42-44页 |
| ·SiGe/Si 多量子阱波导共振增强型探测器的基本结构和优化 | 第44-48页 |
| ·器件结构设计 | 第44-45页 |
| ·布拉格反射镜的设计和综合优化 | 第45-48页 |
| ·结果与讨论 | 第48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 第三章 版图设计与器件制作 | 第50-61页 |
| ·器件的版图设计 | 第50-51页 |
| ·器件制作过程 | 第51-60页 |
| 参考文献 | 第60-61页 |
| 第四章 器件的性能测试和结果讨论 | 第61-68页 |
| ·器件的I-V 特性 | 第61-63页 |
| ·暗电流测试 | 第61-63页 |
| ·理想因子的计算 | 第63页 |
| ·光电响应光谱特性 | 第63-67页 |
| ·波导探测器的光响应谱分析 | 第65-66页 |
| ·波导-RCE 探测器的光响应谱分析 | 第66-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 第五章 总结与展望 | 第68-69页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |