| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| ·SiGe 材料基本特性及其研究意义 | 第8-9页 |
| ·SiGe 器件研究状况 | 第9-11页 |
| ·SiGe 器件与电路的产业化 | 第11-12页 |
| ·高k 栅介质研究概况 | 第12-13页 |
| ·迁移率模型研究概述 | 第13-14页 |
| ·本论文的主要工作和结构安排 | 第14-16页 |
| 2 应变Si_(1-x)Ge_x pMOSFET 反型沟道空穴低场迁移率模型 | 第16-24页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x pMOSFET 空穴迁移率模型研究的意义 | 第16页 |
| ·反型沟道空穴低场迁移率模型的建立 | 第16-20页 |
| ·模拟结果及分析 | 第20-23页 |
| ·小结 | 第23-24页 |
| 3 高k 栅介质 Ge MOS 电容电特性研究 | 第24-38页 |
| ·测量方法介绍 | 第24-29页 |
| ·HfTiON 栅介质Ge MOS 电容 | 第29-32页 |
| ·HfTiO 栅介质Ge MOS 电容 | 第32-35页 |
| ·HfO_2、HfTiON 和HfTiO 栅介质的比较 | 第35-37页 |
| ·小结 | 第37-38页 |
| 4 高频C-V 测试平台的数据采集与处理 | 第38-60页 |
| ·高频C-V 测试原理 | 第38-39页 |
| ·MOS 电容测量原理 | 第39-40页 |
| ·测试仪电路设计 | 第40-41页 |
| ·数据采集卡 | 第41-44页 |
| ·重要的函数和概念 | 第44-46页 |
| ·数据采集程序 | 第46-48页 |
| ·高频C-V 测试仪PCB 板设计 | 第48-59页 |
| ·小结 | 第59-60页 |
| 5 总结 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 附录 攻读学位期间发表论文目录 | 第66页 |
