| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| ·课题的来源和意义 | 第8页 |
| ·硅集成电路技术发展概况 | 第8-9页 |
| ·SOI 技术概述 | 第9-11页 |
| ·半导体存储器的国内外发展概况及SRAM 的发展趋势 | 第11-12页 |
| ·半导体存储器的国内外发展动态 | 第11页 |
| ·SRAM 的发展趋势 | 第11-12页 |
| ·本论文的主要工作及技术要点 | 第12-13页 |
| 第二章 SOI MOS 器件特性 | 第13-20页 |
| ·厚膜和薄膜SOI 器件 | 第13-14页 |
| ·背栅效应 | 第14-15页 |
| ·短沟道效应 | 第15页 |
| ·KINK 效应 | 第15-17页 |
| ·寄生双极晶体管效应 | 第17-18页 |
| ·自加热效应 | 第18页 |
| ·抗辐射特性 | 第18-19页 |
| ·本章小结 | 第19-20页 |
| 第三章 SOI 主要材料制备技术及工艺研究 | 第20-26页 |
| ·SOI 主要材料制备技术 | 第20-22页 |
| ·离子注入和高温退火 | 第20页 |
| ·硅片键合和背面腐蚀 | 第20-21页 |
| ·智能剥离技术 | 第21-22页 |
| ·SOI 工艺 | 第22-25页 |
| ·体接触抑制浮体效应 | 第22-24页 |
| ·工艺途径抑制浮体效应 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第四章 CMOS/SOI SRAM 电路设计 | 第26-54页 |
| ·静态随机存取存储器的结构及工作原理 | 第26-29页 |
| ·存储单元 | 第27页 |
| ·译码器 | 第27页 |
| ·灵敏放大器 | 第27-28页 |
| ·控制电路 | 第28页 |
| ·其它外围电路 | 第28页 |
| ·SRAM 各端口功能 | 第28-29页 |
| ·SRAM 的工作原理 | 第29页 |
| ·SRAM 单元设计与分析 | 第29-35页 |
| ·存储单元类型 | 第29-30页 |
| ·标准六管随机存储单元 | 第30-32页 |
| ·SRAM 的读操作分析及对存储单元尺寸的约束 | 第32-35页 |
| ·译码器设计与分析 | 第35-40页 |
| ·译码器电路 | 第36页 |
| ·行译码器 | 第36-38页 |
| ·列译码器和块译码器 | 第38-39页 |
| ·位线分割技术 | 第39-40页 |
| ·灵敏放大器的设计与分析 | 第40-44页 |
| ·运算放大器型灵敏放大器 | 第41-42页 |
| ·交叉耦合型灵敏放大器 | 第42-43页 |
| ·锁存器型灵敏放大器 | 第43-44页 |
| ·三种结构的灵敏放大器的比较 | 第44页 |
| ·地址变化探测电路的设计与研究 | 第44-47页 |
| ·传统地址变化探测器电路 | 第44-45页 |
| ·新型地址变化探测器电路 | 第45-47页 |
| ·仿真结果 | 第47页 |
| ·2KB SOI SRAM 设计实现 | 第47-53页 |
| ·2KB SOI SRAM 电路总体结构 | 第47-48页 |
| ·2KB SOI SRAM 存储单元 | 第48-49页 |
| ·2KB SOI SRAM 灵敏放大器 | 第49页 |
| ·2KB SOI SRAM 地址探测电路 | 第49-50页 |
| ·2KB SOI SRAM ESD 电路 | 第50页 |
| ·SOI SRAM 电路的总体仿真 | 第50-51页 |
| ·SOI SRAM 版图设计及验证 | 第51-52页 |
| ·流片验证 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 结束语 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 攻读硕士学位期间公开发表的论文 | 第58页 |