| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-9页 |
| 1 绪论 | 第9-15页 |
| ·论文研究背景 | 第9-10页 |
| ·论文研究目的和意义 | 第10-15页 |
| 2.研究方法及实验内容 | 第15-20页 |
| ·Silvaco 模拟软件及工艺模拟方法 | 第15-18页 |
| ·实验内容 | 第18-20页 |
| 3.模拟实验及结果分析 | 第20-43页 |
| ·单个抗穿通离子注入工序的模拟实验 | 第20-24页 |
| ·注入后和退火后Halo离子注入的模拟结果和注入机上注入结果数据对比 | 第20-22页 |
| ·倾斜角度对模拟精度的影响 | 第22-24页 |
| ·典型0.18 微米器件模型建立及 Pocket 离子注入制程故障实例分析 | 第24-30页 |
| ·典型0.18 微米器件模型的建立 | 第24-27页 |
| ·Pocket 离子注入制程故障实例分析 | 第27-30页 |
| ·Halo 离子注入工艺偏差对36 纳米NMOS 器件性能影响的模拟 | 第30-43页 |
| ·36 纳米NMOS 器件模型的建立 | 第30-32页 |
| ·Halo 离子束精度偏差对器件性能的影响 | 第32-41页 |
| ·Halo 离子注入剂量的变化引起器件性能影响 | 第33-34页 |
| ·Halo 离子注入离子束入射角的变化对器件参数的影响 | 第34-38页 |
| ·Halo 离子注入离子束发散度的影响 | 第38-41页 |
| ·离子注入机上对离子束角度精确控制的对策 | 第41-43页 |
| 4.论文总结 | 第43-44页 |
| 附录 | 第44-83页 |
| 参考文献 | 第83-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 攻读硕士学位期间发表及录用的学术论文 | 第86页 |
