| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| 1．1 金属氧化物半导体纳米气敏材料 | 第10-13页 |
| 1．1．1 金属氧化物半导体的电学性质 | 第10-12页 |
| 1．1．2 金属氧化物半导体的表面性质与表面过程 | 第12页 |
| 1．1．3 金属氧化物半导体纳米材料的气敏特性 | 第12-13页 |
| 1．2 气敏机理与气敏器件 | 第13-15页 |
| 1．2．1 气敏机理 | 第13-15页 |
| 1．2．2 气敏器件 | 第15页 |
| 1．3 金属氧化物气体传感器研究进展 | 第15-17页 |
| 1．4 本文构想 | 第17-18页 |
| 第2章 SiO_2 掺杂的 In_2O_3纳米晶对 NO_2 的响应特性 | 第18-26页 |
| 2．1 实验部分 | 第18-20页 |
| 2．1．1 仪器与试剂 | 第18页 |
| 2．1．2 纳米晶制备 | 第18-19页 |
| 2．1．3 传感器制作 | 第19页 |
| 2．1．4 气敏性能测试 | 第19-20页 |
| 2．2 结果与讨论 | 第20-25页 |
| 2．2．1 材料表征 | 第20-21页 |
| 2．2．2 对 NO_2 的气敏特性 | 第21-25页 |
| 2．3 小结 | 第25-26页 |
| 第3章 由白钨酸制备 WO_3 纳米颗粒薄膜 NO_2 传感器 | 第26-33页 |
| 3．1 实验部分 | 第26-27页 |
| 3．1．1 仪器与试剂 | 第26页 |
| 3．1．2 WO_3 粉体制备与掺杂 | 第26-27页 |
| 3．1．3 敏感膜与传感器制作 | 第27页 |
| 3．1．4 气敏性能测试 | 第27页 |
| 3．2 结果与讨论 | 第27-32页 |
| 3．2．1 WO_3 粉体特性 | 第27-28页 |
| 3．2．2 对 NO_2 的气敏特性 | 第28-32页 |
| 3．3 小结 | 第32-33页 |
| 第4章 离子交换法制备的 WO_3 纳米粉体对 NO_2 的气敏特性 | 第33-41页 |
| 4．1 实验部分 | 第33-34页 |
| 4．1．1 仪器与试剂 | 第33页 |
| 4．1．2 WO_3 纳米粉体制备 | 第33页 |
| 4．1．3 气敏器件制作 | 第33-34页 |
| 4．2 结果与讨论 | 第34-40页 |
| 4．2．1 WO_3 纳米粉体表征 | 第34-36页 |
| 4．2．2 传感器温阻特性 | 第36-37页 |
| 4．2．3 传感器对 NO_2 的气敏特性 | 第37-40页 |
| 4．3 小结 | 第40-41页 |
| 第5章 WO_3 基复合氧化物纳米材料对 NO_2 的气敏特性 | 第41-47页 |
| 5．1 实验部分 | 第41-43页 |
| 5．1．1 仪器与试剂 | 第41页 |
| 5．1．2 材料制备与气敏器件制作 | 第41-42页 |
| 5．1．3 纳米材料表征 | 第42-43页 |
| 5．2 结果与讨论 | 第43-46页 |
| 5．2．1 传感器电学特性 | 第43-44页 |
| 5．2．2 对NO_2 的气敏特性 | 第44-46页 |
| 5．3 小结 | 第46-47页 |
| 结论 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 附录A(攻读学位期间所发表的学术论文目录) | 第56页 |
