脉冲激光沉积制备SrTiO3薄膜的介电性质研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 概述 | 第7-16页 |
| ·铁电薄膜简介及研究进展 | 第7-9页 |
| ·PLD 工艺的研究进展 | 第9-11页 |
| ·SrTi0_3材料的性质 | 第11-13页 |
| ·SrTi0_3薄膜的介电性质及应用 | 第13-14页 |
| ·影响STO 薄膜介电性能的重要因素 | 第14-15页 |
| ·本论文主要研究目的和意义 | 第15-16页 |
| 第二章 实验方法 | 第16-26页 |
| ·STO 薄膜沉积工艺方法 | 第16-21页 |
| ·PLD 技术的基本原理和特点 | 第16-18页 |
| ·激光沉积的物理过程 | 第18-19页 |
| ·等离子羽辉 | 第19-20页 |
| ·PLD 的实验过程 | 第20-21页 |
| ·STO 薄膜微观结构分析方法 | 第21-23页 |
| ·原子力显微镜的工作原理 | 第21页 |
| ·X 射线衍射仪 | 第21-23页 |
| ·膜厚的测量 | 第23页 |
| ·薄膜介电性能的测试 | 第23-26页 |
| 第三章 STO 薄膜的 PLD 生长研究 | 第26-39页 |
| ·基片温度对STO 薄膜PLD 生长的影响 | 第26-30页 |
| ·退火工艺对STO 薄膜的影响 | 第30-33页 |
| ·氧分压对STO 薄膜PLD 生长的影响 | 第33-36页 |
| ·激光能量对STO 薄膜PLD 生长的影响 | 第36-39页 |
| 第四章 STO 薄膜介电性质研究 | 第39-49页 |
| ·氧空位对STO 薄膜介电性能的影响 | 第39-45页 |
| ·薄膜界面应力对STO 薄膜介电性能的影响 | 第45-49页 |
| 第五章 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 致谢 | 第53页 |
