绝缘栅双极型晶体管的设计与研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| ·课题研究背景 | 第8-9页 |
| ·IGBT发展概述 | 第9-11页 |
| ·国内外IGBT产业现状 | 第11-12页 |
| ·本文主要研究内容 | 第12-14页 |
| 第2章 IGBT基本原理及特性 | 第14-23页 |
| ·IGBT工作原理及结构 | 第14-18页 |
| ·IGBT工作原理 | 第14-17页 |
| ·PT IGBT与NPT IGBT | 第17-18页 |
| ·IGBT工作特性 | 第18-22页 |
| ·静态特性 | 第18-20页 |
| ·动态特性 | 第20-22页 |
| ·小结 | 第22-23页 |
| 第3章 1200V_IGBT芯片分析与设计 | 第23-49页 |
| ·IGBT芯片分析 | 第23-27页 |
| ·芯片开盖 | 第23-24页 |
| ·SEM/EDX分析 | 第24-25页 |
| ·PN结分析 | 第25-26页 |
| ·SRP测试 | 第26-27页 |
| ·IGBT元胞设计 | 第27-37页 |
| ·基区设计 | 第27-33页 |
| ·P-Body的设计与优化 | 第33-34页 |
| ·栅极与栅氧化层的设计与优化 | 第34-36页 |
| ·发射区的设计与优化 | 第36-37页 |
| ·IGBT终端结构设计 | 第37-48页 |
| ·功率器件终端技术 | 第37-41页 |
| ·1200V_IGBT终端设计 | 第41-48页 |
| ·小结 | 第48-49页 |
| 第4章 1200V_IGBT版图及工艺设计 | 第49-66页 |
| ·IGBT版图设计 | 第49-55页 |
| ·元胞版图设计 | 第49-50页 |
| ·栅极版图设计 | 第50-51页 |
| ·终端版图设计 | 第51页 |
| ·IGBT版图结构 | 第51-55页 |
| ·IGBT工艺流程设计 | 第55-65页 |
| ·小结 | 第65-66页 |
| 第5章 MCZ法拉制单晶应用于IGBT生产的研究 | 第66-75页 |
| ·硅单晶制造技术 | 第66-68页 |
| ·直拉法与区熔法 | 第66-67页 |
| ·磁场直拉法 | 第67-68页 |
| ·电阻率非均匀分布IGBT的仿真 | 第68-73页 |
| ·电阻率纵向不均匀分布 | 第68-70页 |
| ·电阻率横向不均匀分布 | 第70-73页 |
| ·小结 | 第73-75页 |
| 第6章 总结与展望 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-79页 |
| 攻读硕士学位期间主要科研成果 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
