| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-19页 |
| 1．1 ZnO薄膜的概述 | 第8-13页 |
| 1．1．1 ZnO的晶体结构 | 第9页 |
| 1．1．2 ZnO薄膜材料特性 | 第9-11页 |
| 1．1．3 ZnO薄膜应用 | 第11-13页 |
| 1．1．4 ZnO薄膜的制备技术 | 第13页 |
| 1．2 AlN薄膜的概述 | 第13-18页 |
| 1．2．1 AlN的晶体结构 | 第14页 |
| 1．2．2 AlN薄膜的材料特性 | 第14-15页 |
| 1．2．3 AlN薄膜的应用 | 第15-17页 |
| 1．2．4 AlN薄膜的制备技术 | 第17-18页 |
| 1．3 本文的研究内容 | 第18-19页 |
| 第2章 ZnO和AlN薄膜制备方法 | 第19-31页 |
| 2．1 射频磁控溅射 | 第19-27页 |
| 2．1．1 射频磁控溅射原理 | 第19-20页 |
| 2．1．2 射频磁控溅射的原理 | 第20-22页 |
| 2．1．3 溅射特性 | 第22-25页 |
| 2．1．4 溅射机理 | 第25-26页 |
| 2．1．5 溅射过程 | 第26-27页 |
| 2．1．6 磁控溅射的特点 | 第27页 |
| 2．2 射频磁控溅射系统及实验操作步骤 | 第27-28页 |
| 2．2．1 射频磁控溅射系统组成 | 第27-28页 |
| 2．2．2 磁控溅射方法制备薄膜的实验步骤 | 第28页 |
| 2．3 衬底的清洗方法 | 第28-29页 |
| 2．4 磁控溅射方法制备ZnO薄膜 | 第29页 |
| 2．5 反应磁控溅射方法制备AlN薄膜 | 第29页 |
| 2．6 本章小结 | 第29-31页 |
| 第3章 ZnO和AlN薄膜的结构及沉积速率的分析与讨论 | 第31-53页 |
| 3．1 ZnO薄膜结构和沉积速率的研究 | 第31-40页 |
| 3．1．1 衬底温度对ZnO薄膜结构和沉积速率的影响 | 第31-34页 |
| 3．1．2 工作气压对ZnO薄膜结构和沉积速率的影响 | 第34-37页 |
| 3．1．3 O2含量比对ZnO薄膜结构和沉积速率的影响 | 第37-38页 |
| 3．1．4 靶与衬底之间的距离对ZnO薄膜结构和沉积速率的影响 | 第38-40页 |
| 3．2 ZnO薄膜的SEM分析 | 第40-42页 |
| 3．3 不同工艺参数对AlN薄膜结构和沉积速率的影响 | 第42-49页 |
| 3．3．1 AlN薄膜的红外光谱 | 第42-43页 |
| 3．3．2 溅射功率对AlN薄膜结构和沉积速率的影响 | 第43-45页 |
| 3．3．3 衬底温度对AlN薄膜结构和沉积速率的影响 | 第45-47页 |
| 3．3．4 靶与衬底之间的距离对AlN薄膜结构和沉积速率的影响 | 第47-49页 |
| 3．4 AlN薄膜的XPS分析 | 第49-51页 |
| 3．5 AlN薄膜的AFM分析 | 第51-52页 |
| 3．6 本章小结 | 第52-53页 |
| 第4章 ZnO/AlN/Si薄膜结构及声表面波性能的研究 | 第53-64页 |
| 4．1 声表面波技术简介 | 第53-58页 |
| 4．1．1 声表面波的定义 | 第53-54页 |
| 4．1．2 声表面波器件的基本工作原理 | 第54-55页 |
| 4．1．3 薄膜声表面波器件的特点 | 第55-56页 |
| 4．1．4 声表面波器件的种类及其优点 | 第56页 |
| 4．1．5 ZnO薄膜和AlN薄膜在SAW领域的研究进展 | 第56-58页 |
| 4．2 ZnO/AlN/Si薄膜的制备及结构分析 | 第58-62页 |
| 4．2．1 ZnO/AlN/Si薄膜的制备 | 第58页 |
| 4．2．2 ZnO/AlN/Si薄膜的结构分析 | 第58-62页 |
| 4．3 薄膜声表面波性能测试的初步研究 | 第62页 |
| 4．3．1 采用的声表面波激励结构方式及工艺流程 | 第62页 |
| 4．3．2 测试结果及存在的问题 | 第62页 |
| 4．4 本章小结 | 第62-64页 |
| 第5章 ZnO薄膜的光电性能的研究 | 第64-69页 |
| 5．1 ZnO薄膜的红外光谱 | 第64页 |
| 5．2 ZnO薄膜的紫外透射光谱 | 第64-66页 |
| 5．2．1 衬底温度对ZnO薄膜的紫外透射光谱的吸收截止边带的影响 | 第65-66页 |
| 5．2．2 氧分压对ZnO薄膜的紫外透射光谱的吸收截止边带的影响 | 第66页 |
| 5．3 ZnO薄膜的光致发光谱 | 第66-67页 |
| 5．4 ZnO薄膜的电学性能的测试 | 第67-68页 |
| 5．5 本章小结 | 第68-69页 |
| 第6章 AlN薄膜场发射性能的研究 | 第69-77页 |
| 6．1 场发射实质及应用研究进展 | 第69-71页 |
| 6．1．1 场发射现象 | 第69-70页 |
| 6．1．2 场发射实质 | 第70-71页 |
| 6．2 AlN薄膜场发射研究进展 | 第71-72页 |
| 6．3 高取向生长AlN薄膜场发射性能研究 | 第72-77页 |
| 6．3．1 实验参数及系统条件设定 | 第72-73页 |
| 6．3．2 不同厚度取向AlN薄膜场发射性能比较 | 第73-74页 |
| 6．3．3 取向结构对AlN薄膜场发射性能的影响 | 第74-77页 |
| 结论 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-81页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82页 |
