| 第一章 绪论 | 第1-8页 |
| 第二章 CMOS低噪声放大器中的噪声 | 第8-29页 |
| 2．1 CMOS低噪声放大器的电路组态 | 第8-10页 |
| 2．2 CMOS低噪声放大器中的噪声源 | 第10-11页 |
| 2．2．1 电阻的热噪声 | 第10页 |
| 2．2．2 场效应管的漏端电流噪声 | 第10-11页 |
| 2．2．3 场效应管的栅极噪声 | 第11页 |
| 2．3 CMOS低噪声放大器的直流分析 | 第11-13页 |
| 2．4 CMOS源端degeneration低噪放的小信号分析 | 第13-16页 |
| 2．5 忽略栅漏电容的CMOS源端degeneration低噪放的噪声系数的计算 | 第16-20页 |
| 2．5．1 噪声因素和噪声系数的定义 | 第16页 |
| 2．5．2 忽略栅漏电容的噪声系数的计算 | 第16-20页 |
| 2．6 栅漏电容对CMOS源端degeneration低噪放的噪声系数的影响 | 第20-25页 |
| 2．6．1 考虑C_（gd）后的噪声因素的推导 | 第20-22页 |
| 2．6．2 噪声系数的优化 | 第22-23页 |
| 2．6．3 数值结果和讨论 | 第23-25页 |
| 2．7 CMOS低噪放的完整电路图 | 第25-26页 |
| 2．8 Cascode场效应管对低噪放噪声系数的影响 | 第26-29页 |
| 第三章 CMOS低噪声放大器中的非线性 | 第29-42页 |
| 3．1 CMOS低噪声放大器中非线性的来源和IP_3的定义 | 第29-31页 |
| 3．2 伏特拉级数简介 | 第31-33页 |
| 3．2．1 伏特拉级数和伏特拉核的定义 | 第32-33页 |
| 3．2．2 一些与伏特拉级数相关的定理 | 第33页 |
| 3．3 CMOS Cascode低噪放三阶交调表达式的推导 | 第33-37页 |
| 3．3．1 跨导级三阶交调表达式的推导 | 第33-36页 |
| 3．3．2 cascode级的影响 | 第36-37页 |
| 3．4 仿真结果和讨论 | 第37-42页 |
| 第四章 CMOS Gilbert型混频器的转换增益和噪声分析 | 第42-66页 |
| 4．1 混频器的结构 | 第42-43页 |
| 4．2 Gilbert型混频器的转换增益 | 第43-56页 |
| 4．2．1 低频近似下的转换增益 | 第44-49页 |
| 4．2．2 高频转换增益 | 第49-56页 |
| 4．3 Gilbert型混频器的高频噪声分析 | 第56-66页 |
| 4．3．1 当前的混频器噪声分析方法 | 第56-58页 |
| 4．3．2 对射频端的噪声分析 | 第58-62页 |
| 4．3．3 对开关对的噪声分析 | 第62-63页 |
| 4．3．4 输出噪声总功率谱密度 | 第63-65页 |
| 4．3．5 时间平均输出噪声功率谱密度 | 第65-66页 |
| 第五章 CMOS Gilbert型混频器中的非线性 | 第66-73页 |
| 5．1 混频器中互调的描述 | 第66页 |
| 5．2 分析CMOS Gilbert型混频器中互调失真的困难 | 第66-67页 |
| 5．3 跨导级的非线性分析 | 第67-69页 |
| 5．4 开关对的非线性分析 | 第69-71页 |
| 5．5 CMOS Gilbert型混频器的设计流程和优化指导 | 第71-73页 |
| 第六章 结论 | 第73-75页 |
| 6．1 结论 | 第73页 |
| 6．2 未来的工作 | 第73-75页 |
| 附录一 定理4．1的证明 | 第75-78页 |
| 附录二 方程（4．55）的推导 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
| 攻读硕土学位期间发表的论文 | 第84页 |
