| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 文献综述 | 第11-27页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 气敏传感器概述 | 第12-20页 |
| 1.2.1 气敏传感器的研究进展 | 第12-14页 |
| 1.2.2 气敏传感器的性能指标 | 第14-16页 |
| 1.2.3 金属氧化物气敏传感器的气敏机理 | 第16-20页 |
| 1.2.4 提升金属氧化物材料的气敏性能的方法 | 第20页 |
| 1.3 In_2O_3气敏材料的研究进展 | 第20-25页 |
| 1.3.1 In_2O_3的基本性质[40] | 第20-21页 |
| 1.3.2 In_2O_3的制备方法 | 第21-23页 |
| 1.3.3 存在的问题和挑战 | 第23-25页 |
| 1.4 本课题的立题依据及工作内容 | 第25-27页 |
| 第2章 Pd掺杂的In_2O_3立方体的合成及其气敏性能研究 | 第27-41页 |
| 2.0 引言 | 第27-28页 |
| 2.1 实验部分 | 第28-29页 |
| 2.1.1 实验药品 | 第28-29页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第29页 |
| 2.2 材料制备 | 第29-30页 |
| 2.3 材料的表征 | 第30页 |
| 2.4 传感器的组装和测试 | 第30-31页 |
| 2.5 材料的表征与分析 | 第31-33页 |
| 2.5.1 材料的XRD和 XPS表征 | 第31-32页 |
| 2.5.2 材料的SEM表征 | 第32-33页 |
| 2.6 材料的气敏性能分析 | 第33-37页 |
| 2.7 气敏机理讨论 | 第37-39页 |
| 2.7.1 Pd掺杂对气敏性能影响的机理讨论 | 第37-38页 |
| 2.7.2 气敏选择性的机理讨论 | 第38-39页 |
| 2.8 本章小结 | 第39-41页 |
| 第3章 Pr掺杂In_2O_3纳米立方体引入氧空缺提升三乙胺气敏性能的研究 | 第41-57页 |
| 3.0 引言 | 第41页 |
| 3.1 Pr掺杂的In_2O_3纳米立方体的制备 | 第41-42页 |
| 3.1.1 实验原料 | 第41-42页 |
| 3.1.2 合成步骤 | 第42页 |
| 3.2 材料的表征分析 | 第42-48页 |
| 3.2.1 材料的XRD表征 | 第42-44页 |
| 3.2.2 材料的TEM表征 | 第44-45页 |
| 3.2.3 材料的BET及 BJH表征 | 第45-46页 |
| 3.2.4 材料的XPS表征 | 第46-48页 |
| 3.3 材料的气敏性能测试 | 第48-52页 |
| 3.4 气敏机理探讨 | 第52-55页 |
| 3.4.1 气敏性能的提升机理 | 第52-55页 |
| 3.4.2 对三乙胺的选择性机理 | 第55页 |
| 3.5 本章小结 | 第55-57页 |
| 第4章 In_2O_3空心立方体的合成及其气敏性能的研究 | 第57-65页 |
| 4.0 引言 | 第57页 |
| 4.1 In_2O_3空心立方体的制备 | 第57-58页 |
| 4.1.1 实验原料 | 第57页 |
| 4.1.2 实验方案 | 第57-58页 |
| 4.2 材料的表征与分析 | 第58-61页 |
| 4.2.0 材料的SEM分析 | 第58-59页 |
| 4.2.1 材料的XRD表征 | 第59-60页 |
| 4.2.2 材料的BET及 BJH表征 | 第60-61页 |
| 4.3 材料的气敏性能研究 | 第61-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-65页 |
| 第5章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-77页 |
| 附录 -1-攻读硕士学位期间发表的论文 | 第77-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
