摘要 | 第1-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
第1章 概论 | 第8-15页 |
·太赫兹电磁波 | 第8-9页 |
·超晶格概述 | 第9-12页 |
·超晶格的微带效应和量子约束效应 | 第12-13页 |
·SiGe 半导体量子阱研究进展 | 第13-15页 |
第2章 太赫兹场作用下超晶格的动力学过程及光吸收谱 | 第15-23页 |
·半导体超晶格的激子基 | 第15-17页 |
·半导体超晶格的激子运动方程 | 第17-22页 |
·小结 | 第22-23页 |
第3章 In_(0.53)Ga_(0.47)As/GaAs 超晶格的太赫兹发射 | 第23-31页 |
·半导体超晶格的运动方程 | 第23-24页 |
·In_(0.53)Ga_(0.47)As/GaAs 超晶格的光吸收谱和太赫兹发射 | 第24-30页 |
·在单脉冲的作用下In_(0.53)Ga_(0.47)As超晶格的光吸收谱和太赫兹发射 | 第24-27页 |
·在双脉冲的作用下In_(0.53)Ga_(0.47)As超晶格的光吸收谱和太赫兹发射 | 第27-30页 |
·小结 | 第30-31页 |
第4章 SiGe/Si 量子阱子带间光学性质研究 | 第31-40页 |
·K.P 理论计算SiGe/Si 量子阱能带结构 | 第31-35页 |
·SiGe/Si 量子阱中载流子运动方程及子带间光吸收谱 | 第35-39页 |
·小结 | 第39-40页 |
第5章 结论 | 第40-41页 |
参考文献 | 第41-46页 |
致谢 | 第46-47页 |
作者在学期间取得的学术成果 | 第47页 |