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半导体异质结光学性质研究

摘要第1-7页
ABSTRACT第7-8页
第1章 概论第8-15页
   ·太赫兹电磁波第8-9页
   ·超晶格概述第9-12页
   ·超晶格的微带效应和量子约束效应第12-13页
   ·SiGe 半导体量子阱研究进展第13-15页
第2章 太赫兹场作用下超晶格的动力学过程及光吸收谱第15-23页
   ·半导体超晶格的激子基第15-17页
   ·半导体超晶格的激子运动方程第17-22页
   ·小结第22-23页
第3章 In_(0.53)Ga_(0.47)As/GaAs 超晶格的太赫兹发射第23-31页
   ·半导体超晶格的运动方程第23-24页
   ·In_(0.53)Ga_(0.47)As/GaAs 超晶格的光吸收谱和太赫兹发射第24-30页
     ·在单脉冲的作用下In_(0.53)Ga_(0.47)As超晶格的光吸收谱和太赫兹发射第24-27页
     ·在双脉冲的作用下In_(0.53)Ga_(0.47)As超晶格的光吸收谱和太赫兹发射第27-30页
   ·小结第30-31页
第4章 SiGe/Si 量子阱子带间光学性质研究第31-40页
   ·K.P 理论计算SiGe/Si 量子阱能带结构第31-35页
   ·SiGe/Si 量子阱中载流子运动方程及子带间光吸收谱第35-39页
   ·小结第39-40页
第5章 结论第40-41页
参考文献第41-46页
致谢第46-47页
作者在学期间取得的学术成果第47页

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