四方相氧化锆陶瓷相变行为的相场法研究
摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
1 绪论 | 第9-16页 |
1.1 引言 | 第9页 |
1.2 研究背景 | 第9-12页 |
1.3 国内外研究进展 | 第12-14页 |
1.4 本文研究内容 | 第14-16页 |
2 单晶氧化锆相变的相场模拟 | 第16-23页 |
2.1 引言 | 第16页 |
2.2 单晶氧化锆相场理论及模型介绍 | 第16-20页 |
2.3 模拟结果分析 | 第20-22页 |
2.4 本章小结 | 第22-23页 |
3 氧化锆相变增韧的相场模拟 | 第23-55页 |
3.1 引言 | 第23页 |
3.2 氧化锆的相变增韧 | 第23-43页 |
3.3 增韧效应分析 | 第43-54页 |
3.4 本章小结 | 第54-55页 |
4 多晶氧化锆的相场模拟 | 第55-65页 |
4.1 引言 | 第55页 |
4.2 在全局晶粒添加随机扰动的多晶氧化锆模型 | 第55-60页 |
4.3 在表面施加初始相变核的多晶氧化锆模型 | 第60-64页 |
4.4 本章小结 | 第64-65页 |
5 多晶氧化锆扩散相变的相场模拟 | 第65-76页 |
5.1 引言 | 第65页 |
5.2 扩散相变耦合场模型的理论介绍 | 第65-68页 |
5.3 扩散相变耦合场模型的结果分析 | 第68-75页 |
5.4 本章小结 | 第75-76页 |
6 总结与展望 | 第76-78页 |
6.1 全文总结 | 第76-77页 |
6.2 课题展望 | 第77-78页 |
致谢 | 第78-79页 |
参考文献 | 第79-84页 |