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GaAs(Sb,Bi)半导体及其纳米线体系的红外光学和极化特性研究

摘要第4-6页
abstract第6-7页
第1章 引言第10-20页
    1.1 研究背景第10-17页
    1.2 本论文的主要内容第17-20页
第2章 Ⅲ-V族半导体的基本性质第20-38页
    2.1 基本能带结构和光学性质第20-23页
    2.2 光跃迁与光学取向第23-27页
    2.3 自旋的弛豫第27-29页
    2.4 声子性质与拉曼散射第29-33页
    2.5 从3D体材料到1D纳米线第33-34页
    2.6 半导体纳米线中的光学各向异性第34-38页
第3章 光谱测试系统——从实验角度第38-54页
    3.1 微区拉曼光谱第38-41页
    3.2 光致发光光谱第41-43页
    3.3 极化分辨的光致发光光谱/拉曼光谱第43-46页
    3.4 时间分辨的光致发光测量:单光子计数第46-48页
    3.5 光调制反射光谱第48-54页
第4章 热退火增强GaAsSb半导体中载流子局域与自旋探测效率第54-68页
    4.1 引言第54-56页
    4.2 样品生长、处理与实验配置第56页
    4.3 热退火处理对GaAsSb样品晶体结构的影响第56-58页
    4.4 低温光致发光光谱与光调制反射光谱研究GaAsSb中载流子局域第58-63页
    4.5 快速热退火对GaAsSb中自旋探测效率的影响第63-66页
    4.6 小结第66-68页
第5章 Bi对GaAs纳米线晶体结构和发光极化特性的影响第68-84页
    5.1 引言第68-70页
    5.2 GaAs(Bi)纳米线的生长、形貌与实验配置第70-71页
    5.3 Bi掺入对GaAs纳米线结构性质的影响第71-73页
    5.4 拉曼光谱研究GaAs/GaAsBi纳米线中的声子振动第73-77页
    5.5 Bi元素掺入对GaAs纳米发光特性的影响第77-82页
    5.6 小结第82-84页
第6章 全文工作总结与展望第84-88页
    6.1 全文工作总结第84-85页
    6.2 工作展望第85-88页
参考文献第88-102页
致谢第102-104页
攻读学位期间发表的学术论文与研究成果第104页

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