| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第1章 引言 | 第10-20页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-17页 |
| 1.2 本论文的主要内容 | 第17-20页 |
| 第2章 Ⅲ-V族半导体的基本性质 | 第20-38页 |
| 2.1 基本能带结构和光学性质 | 第20-23页 |
| 2.2 光跃迁与光学取向 | 第23-27页 |
| 2.3 自旋的弛豫 | 第27-29页 |
| 2.4 声子性质与拉曼散射 | 第29-33页 |
| 2.5 从3D体材料到1D纳米线 | 第33-34页 |
| 2.6 半导体纳米线中的光学各向异性 | 第34-38页 |
| 第3章 光谱测试系统——从实验角度 | 第38-54页 |
| 3.1 微区拉曼光谱 | 第38-41页 |
| 3.2 光致发光光谱 | 第41-43页 |
| 3.3 极化分辨的光致发光光谱/拉曼光谱 | 第43-46页 |
| 3.4 时间分辨的光致发光测量：单光子计数 | 第46-48页 |
| 3.5 光调制反射光谱 | 第48-54页 |
| 第4章 热退火增强GaAsSb半导体中载流子局域与自旋探测效率 | 第54-68页 |
| 4.1 引言 | 第54-56页 |
| 4.2 样品生长、处理与实验配置 | 第56页 |
| 4.3 热退火处理对GaAsSb样品晶体结构的影响 | 第56-58页 |
| 4.4 低温光致发光光谱与光调制反射光谱研究GaAsSb中载流子局域 | 第58-63页 |
| 4.5 快速热退火对GaAsSb中自旋探测效率的影响 | 第63-66页 |
| 4.6 小结 | 第66-68页 |
| 第5章 Bi对GaAs纳米线晶体结构和发光极化特性的影响 | 第68-84页 |
| 5.1 引言 | 第68-70页 |
| 5.2 GaAs(Bi)纳米线的生长、形貌与实验配置 | 第70-71页 |
| 5.3 Bi掺入对GaAs纳米线结构性质的影响 | 第71-73页 |
| 5.4 拉曼光谱研究GaAs/GaAsBi纳米线中的声子振动 | 第73-77页 |
| 5.5 Bi元素掺入对GaAs纳米发光特性的影响 | 第77-82页 |
| 5.6 小结 | 第82-84页 |
| 第6章 全文工作总结与展望 | 第84-88页 |
| 6.1 全文工作总结 | 第84-85页 |
| 6.2 工作展望 | 第85-88页 |
| 参考文献 | 第88-102页 |
| 致谢 | 第102-104页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第104页 |
