| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-33页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 原子结构表征 | 第11-18页 |
| 1.2.1 石墨烯 | 第11-14页 |
| 1.2.2 六方氮化硼 | 第14-16页 |
| 1.2.3 二硫化钼 | 第16-18页 |
| 1.3 原位生长 | 第18-19页 |
| 1.3.1 原位生长石墨烯 | 第18页 |
| 1.3.2 其他二维材料的原位生长 | 第18-19页 |
| 1.4 原位纳米制造 | 第19-24页 |
| 1.4.1 掺杂 | 第19-22页 |
| 1.4.2 纳米孔 | 第22-24页 |
| 1.4.2.1 纳米带 | 第23-24页 |
| 1.5 材料原位性能研究 | 第24-31页 |
| 1.5.1 电子辐照 | 第24-27页 |
| 1.5.2 热场 | 第27-28页 |
| 1.5.3 电场 | 第28-30页 |
| 1.5.4 机械力场 | 第30-31页 |
| 1.6 小结 | 第31-33页 |
| 第二章 透射电子显微学及电子辐照效应 | 第33-47页 |
| 2.1 引言 | 第33页 |
| 2.2 透射电子显微学 | 第33-40页 |
| 2.2.1 透射电子显微镜的发展历史 | 第33页 |
| 2.2.2 透射电子显微镜的结构和工作原理 | 第33-35页 |
| 2.2.3 透射显微术电子像衬度原理 | 第35-36页 |
| 2.2.4 电子显微分析方法 | 第36-40页 |
| 2.3 电子辐照效应 | 第40-47页 |
| 2.3.1 原子离位 | 第40-41页 |
| 2.3.2 电子束溅射 | 第41-43页 |
| 2.3.3 电子束加热效应 | 第43页 |
| 2.3.4 静电积累 | 第43-44页 |
| 2.3.5 辐解 | 第44-45页 |
| 2.3.6 碳氢化合物污染 | 第45-47页 |
| 第三章 电子辐照诱导原位刻蚀 | 第47-84页 |
| 3.1 引言 | 第47-48页 |
| 3.2 实验结果与讨论 | 第48-82页 |
| 3.2.1 不同边界结构刻蚀过程分析 | 第48-76页 |
| 3.2.2 不同束流密度对刻蚀的影响 | 第76-79页 |
| 3.2.3 不同电子加速电压对刻蚀的影响 | 第79页 |
| 3.2.4 刻蚀机制及讨论 | 第79-82页 |
| 3.3 本章小结 | 第82-84页 |
| 第四章 电子束辐照诱导二维硫族化合物修复 | 第84-114页 |
| 4.1 引言 | 第84-87页 |
| 4.2 实验结果及讨论 | 第87-112页 |
| 4.2.1 MoS_2和Bi_2Te_3纳米孔 | 第87-89页 |
| 4.2.2 MoS_2纳米孔的修复 | 第89-93页 |
| 4.2.3 Bi2Te3纳米孔的修复 | 第93-95页 |
| 4.2.4 MoS_2和Bi_2Te_3的几何相位分析 | 第95-98页 |
| 4.2.5 单层MoS_2的修复 | 第98-100页 |
| 4.2.6 修复机制的分析和讨论 | 第100-112页 |
| 4.3 本章小结 | 第112-114页 |
| 第五章 基于多环芳香烃的表面调控实现4nm以下金刚石的按需构筑 | 第114-135页 |
| 5.1 引言 | 第114-116页 |
| 5.2 实验结果与讨论 | 第116-133页 |
| 5.2.1 低温水热法合成纳米金刚石 | 第116-120页 |
| 5.2.2 宏观手段表征纳米金刚石 | 第120-121页 |
| 5.2.3 TEM中纳米金刚石的成分分析 | 第121-124页 |
| 5.2.4 TEM中纳米金刚石的高分辨分析 | 第124-130页 |
| 5.2.5 计算与讨论 | 第130-133页 |
| 5.3 本章小结 | 第133-135页 |
| 第六章 论文总结和展望 | 第135-138页 |
| 6.1 主要研究成果 | 第135-136页 |
| 6.2 展望 | 第136-138页 |
| 参考文献 | 第138-163页 |
| 在学期间发表论文及奖励 | 第163-165页 |
| 致谢 | 第165页 |