| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 引言 | 第9-18页 |
| 1.1 强关联体系 | 第9页 |
| 1.2 铜氧化物高温超导 | 第9-11页 |
| 1.3 铁基高温超导 | 第11-13页 |
| 1.4 有机超导体 | 第13-15页 |
| 1.5 本文研究内容 | 第15-18页 |
| 1.5.1 数值方法论 | 第15-16页 |
| 1.5.2 非均匀二维体系的超导特性 | 第16-17页 |
| 1.5.3 电子配对场 | 第17-18页 |
| 第二章 数值方法 | 第18-30页 |
| 2.1 对角化方法 | 第18-21页 |
| 2.1.1 完全对角化 | 第18-20页 |
| 2.1.2 精确对角化方法 | 第20-21页 |
| 2.2 量子蒙特卡罗方法(QMC) | 第21-30页 |
| 2.2.1 系统基态 | 第22-24页 |
| 2.2.2 随机游走的重要抽样方法 | 第24-27页 |
| 2.2.3 约束路径近似 | 第27-28页 |
| 2.2.4 计算期望值 | 第28-30页 |
| 第三章 研究内容 | 第30-51页 |
| 3.1 非均匀二维体系基本构成单元four-site clusters的性质 | 第30-38页 |
| 3.1.1 电子对束缚能 | 第31-32页 |
| 3.1.2 电荷能隙 | 第32页 |
| 3.1.3 自旋能隙 | 第32-35页 |
| 3.1.4 有限温度下的T—U相图 | 第35-37页 |
| 3.1.5 小结 | 第37-38页 |
| 3.2 非均匀二维体系的配对关联 | 第38-46页 |
| 3.2.1 Checkerboard Hubbard模型 | 第40-41页 |
| 3.2.2 配对关联 | 第41-44页 |
| 3.2.3 非对角长程序 | 第44-45页 |
| 3.2.4 小结 | 第45-46页 |
| 3.3 电子配对场 | 第46-51页 |
| 3.3.1 电子空穴变换 | 第46-48页 |
| 3.3.2 计算结果 | 第48-50页 |
| 3.3.3 小结 | 第50-51页 |
| 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第57页 |