| 中文摘要 | 第3-4页 |
| 英文摘要 | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第8-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-14页 |
| 1.2.1 柔性直流输电的现状 | 第10-11页 |
| 1.2.2 外部压力对模块内部电热分布影响的研究现状 | 第11-12页 |
| 1.2.3 压接式IGBT失效短路特性的研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第14-16页 |
| 2 压接式IGBT特性的实验测试 | 第16-32页 |
| 2.1 引言 | 第16-17页 |
| 2.2 压接式IGBT模块结构及施压平台 | 第17-19页 |
| 2.3 压接式IGBT动静态测试平台 | 第19-25页 |
| 2.3.1 静态测试平台 | 第19-22页 |
| 2.3.2 动态测试平台 | 第22-25页 |
| 2.4 压接式IGBT静态特性与动态特性的测试 | 第25-31页 |
| 2.4.1 不同压力下压接式IGBT器件并联动态特性的测试 | 第25-27页 |
| 2.4.2 不同压力下压接式IGBT器件的静态特性 | 第27-29页 |
| 2.4.3 不同温度下压接式IGBT器件的静态特性 | 第29-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 3 压接式IGBT模块的电热有限元建模 | 第32-42页 |
| 3.1 引言 | 第32页 |
| 3.2 多物理场耦合数学模型 | 第32-35页 |
| 3.2.1 电-热耦合数学模型 | 第33-34页 |
| 3.2.2 热-力耦合数学模型 | 第34-35页 |
| 3.3 单芯片压接式IGBT的有限元建模 | 第35-38页 |
| 3.3.1 单芯片的有限元模型 | 第35-36页 |
| 3.3.2 多物理场边界条件设置 | 第36-38页 |
| 3.4 并联芯片的有限元建模 | 第38-39页 |
| 3.4.1 建模的理论基础 | 第38页 |
| 3.4.2 模拟并联芯片的有限元模型 | 第38-39页 |
| 3.5 1500 A模块的有限元建模 | 第39-41页 |
| 3.5.1 多物理场边界条件设置 | 第39页 |
| 3.5.2 有限元模型 | 第39-41页 |
| 3.6 本章小结 | 第41-42页 |
| 4 压力不均对并联芯片特性影响的实验和仿真 | 第42-52页 |
| 4.1 引言 | 第42页 |
| 4.2 基于并联压接式IGBT模型的仿真分析 | 第42-46页 |
| 4.3 并联压接式IGBT模型的实验验证 | 第46-48页 |
| 4.3.1 并联实验平台搭建 | 第46页 |
| 4.3.2 实验结果分析 | 第46-48页 |
| 4.4 1500 A压接式IGBT模块中电热分布仿真分析 | 第48-50页 |
| 4.5 本章小结 | 第50-52页 |
| 5 压接式IGBT的失效短路及其耐久性实验分析 | 第52-70页 |
| 5.1 引言 | 第52-53页 |
| 5.2 单芯片压接式IGBT失效短路机理 | 第53-54页 |
| 5.3 失效短路的模拟实验 | 第54-61页 |
| 5.3.1 实验平台 | 第54-55页 |
| 5.3.2 实验结果的分析 | 第55-61页 |
| 5.4 失效短路后的持续性分析 | 第61-64页 |
| 5.4.1 短路芯片的老化实验平台 | 第61-63页 |
| 5.4.2 短路芯片的老化分析 | 第63-64页 |
| 5.5 大电流脉冲补充实验 | 第64-69页 |
| 5.5.1 实验平台 | 第64-66页 |
| 5.5.2 实验结果分析 | 第66-69页 |
| 5.6 本章小结 | 第69-70页 |
| 6 总结和展望 | 第70-72页 |
| 6.1 结论 | 第70页 |
| 6.2 展望 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 附录 | 第78页 |
| A.作者在攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第78页 |
| B.作者在攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第78页 |
