| 中文摘要 | 第3-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 SOI技术 | 第9-11页 |
| 1.2 SOILDMOS器件概述 | 第11-16页 |
| 1.2.1 SOILDMOS国内外研究现状 | 第11-12页 |
| 1.2.2 SOILDMOS耐压技术 | 第12-16页 |
| 1.3 本文的主要工作及创新点 | 第16-19页 |
| 2 槽型SOILDMOS器件结构特性研究 | 第19-31页 |
| 2.1 槽型SOILDMOS器件的击穿特性研究 | 第19-23页 |
| 2.1.1 槽型SOILDMOS器件横向耐压 | 第21-22页 |
| 2.1.2 槽型SOILDMOS器件纵向耐压 | 第22-23页 |
| 2.2 槽型SOILDMOS器件的导通特性研究 | 第23-26页 |
| 2.2.1 槽型SOILDMOS器件源区电阻RS | 第24页 |
| 2.2.2 槽型SOILDMOS器件沟道电阻RCH | 第24-25页 |
| 2.2.3 槽型SOILDMOS器件积累层电阻RA | 第25页 |
| 2.2.4 槽型SOILDMOS器件漂移区电阻RDr | 第25页 |
| 2.2.5 槽型SOILDMOS器件漏区电阻RD | 第25页 |
| 2.2.6 槽型SOILDMOS器件总比导通电阻Ron,sp | 第25-26页 |
| 2.3 槽型SOILDMOS器件参数对特性的影响 | 第26-29页 |
| 2.3.1 氧化槽宽度WT | 第26-27页 |
| 2.3.2 氧化槽深度DT | 第27-28页 |
| 2.3.3 漂移区浓度Nd | 第28-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-31页 |
| 3 浮空纵向场板槽型SOILDMOS器件 | 第31-47页 |
| 3.1 浮空纵向场板的引入 | 第31-33页 |
| 3.2 FVFPTSOILDMOS器件工作原理 | 第33页 |
| 3.3 FVFPTSOILDMOS器件特性研究 | 第33-39页 |
| 3.3.1 击穿特性研究 | 第33-35页 |
| 3.3.2 导通特性研究 | 第35-37页 |
| 3.3.3 开关特性研究 | 第37-38页 |
| 3.3.4 温度特性研究 | 第38-39页 |
| 3.4 FVFPTSOILDMOS器件参数分析 | 第39-45页 |
| 3.5 工艺流程设计 | 第45-46页 |
| 3.6 本章小结 | 第46-47页 |
| 4 对称浮空纵向双场板槽型SOILDMOS | 第47-65页 |
| 4.1 对称浮空纵向双场板的引入 | 第47-49页 |
| 4.2 SDFVFPTSOILDMOS器件工作原理 | 第49页 |
| 4.3 SDFVFPTSOILDMOS器件特性研究 | 第49-55页 |
| 4.3.1 击穿特性研究 | 第49-52页 |
| 4.3.2 导通特性研究 | 第52-53页 |
| 4.3.3 开关特性研究 | 第53-54页 |
| 4.3.4 温度特性研究 | 第54-55页 |
| 4.4 SDFVFPTSOILDMOS器件参数分析 | 第55-62页 |
| 4.5 工艺流程设计 | 第62-63页 |
| 4.6 本章小结 | 第63-65页 |
| 5 总结与展望 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 附录 | 第73页 |
| A.作者在攻读学位期间发表的论文目录 | 第73页 |
| B.作者在攻读学位期间获奖情况 | 第73页 |
