| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 多孔硅的发展史 | 第9-11页 |
| 1.2 多孔硅制备方法 | 第11-14页 |
| 1.2.1 电化学腐蚀法 | 第11-13页 |
| 1.2.2 化学腐蚀法 | 第13页 |
| 1.2.3 光化学腐蚀法 | 第13页 |
| 1.2.4 火花腐蚀法 | 第13页 |
| 1.2.5 水热腐蚀法 | 第13-14页 |
| 1.3 多孔硅的形成机理 | 第14-16页 |
| 1.4 多孔硅的发光机制 | 第16-19页 |
| 1.5 多孔硅的应用 | 第19-22页 |
| 1.5.1 绝缘材料 | 第19-20页 |
| 1.5.2 光电器件 | 第20页 |
| 1.5.3 敏感元件及传感器 | 第20页 |
| 1.5.4 电池 | 第20-22页 |
| 1.6 本论文的研究内容 | 第22-24页 |
| 2 多孔硅的制备及表征 | 第24-28页 |
| 2.1 实验材料及测试仪器 | 第24-25页 |
| 2.2 多孔硅的制备 | 第25-26页 |
| 2.2.1 实验装置 | 第25-26页 |
| 2.2.2 实验步骤 | 第26页 |
| 2.3 多孔硅的测试表征 | 第26-28页 |
| 2.3.1 表面形貌测试 | 第26-27页 |
| 2.3.2 光致发光（PL）测试 | 第27-28页 |
| 3 实验结果分析 | 第28-44页 |
| 3.1 腐蚀溶液浓度c对PS表面形貌及其PL特性的影响 | 第28-31页 |
| 3.1.1 腐蚀溶液浓度c对PS表面形貌的影响 | 第29页 |
| 3.1.2 腐蚀溶液浓度c对PS光致发光特性的影响 | 第29-31页 |
| 3.2 腐蚀时间t对PS表面形貌及PL特性的影响 | 第31-33页 |
| 3.2.1 腐蚀时间t对PS表面形貌的影响 | 第31-32页 |
| 3.2.2 腐蚀时间t对PS光致发光特性的影响 | 第32-33页 |
| 3.3 腐蚀电流密度J对PS表面形貌及PL特性的影响 | 第33-37页 |
| 3.3.1 腐蚀电流密度J对PS表面形貌的影响 | 第34-35页 |
| 3.3.2 腐蚀电流密度J对PS光致发光特性的影响 | 第35-37页 |
| 3.4 阴阳极之间的距离h对PS表面形貌及PL特性的影响 | 第37-44页 |
| 3.4.1 阴阳极之间的距离h对PS表面形貌的影响 | 第37-42页 |
| 3.4.2 阴阳极距离h对PS光致发光特性的影响 | 第42-44页 |
| 4 总结 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-49页 |
| 附录A实验装置实物图 | 第49-51页 |
| 附录B样品光致发光效果 | 第51-53页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54页 |
