| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 课题研究的目的和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 InGaAs光电探测器在辐射环境中的应用 | 第11-15页 |
| 1.2.1 辐射环境 | 第11-14页 |
| 1.2.2 InGaAs光电探测器在空间环境中的应用 | 第14-15页 |
| 1.3 国内外InGaAs光电探测器的辐照效应的研究状况 | 第15-19页 |
| 1.3.1 InGaAs光电探测器辐照损伤特性 | 第15-17页 |
| 1.3.2 InGaAs光电探测器辐照损伤机理 | 第17-18页 |
| 1.3.3 InGaAs光电探测器辐照后的退火行为 | 第18-19页 |
| 1.4 论文研究内容及主要工作 | 第19-20页 |
| 第二章 InGaAs光电探测器的结构、原理和辐照效应 | 第20-41页 |
| 2.1 InGaAs光电探测器的基本结构和工作原理 | 第20-29页 |
| 2.1.1 InGaAs光电探测器的基本结构 | 第20-24页 |
| 2.1.2 InGaAs光电探测器的工作原理 | 第24-25页 |
| 2.1.3 InGaAs光电探测器的性能参数 | 第25-29页 |
| 2.2 InGaAs光电探测器的辐照损伤效应 | 第29-36页 |
| 2.2.1 辐照粒子与半导体的基本作用机制 | 第29-33页 |
| 2.2.2 辐照效应对光电器件特性的影响 | 第33-36页 |
| 2.3 常用的粒子输运蒙特卡罗程序 | 第36-40页 |
| 2.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第三章 InGaAs光电探测器中子辐照损伤效应数值模拟 | 第41-55页 |
| 3.1 中子辐照效应的数值模拟 | 第41-46页 |
| 3.1.1 辐照位移损伤的等效模型 | 第42-43页 |
| 3.1.2 NIEL计算结果与讨论 | 第43-45页 |
| 3.1.3 空位缺陷计算结果与讨论 | 第45-46页 |
| 3.2 InGaAs光电探测器性能参数模拟仿真 | 第46-49页 |
| 3.2.1 光信号的数值模拟 | 第46-48页 |
| 3.2.2 暗信号的数值模拟 | 第48-49页 |
| 3.3 中子与伽马光子、质子辐照InGaAs光电探测器损伤机理异同 | 第49-54页 |
| 3.3.1 中子与伽马光子辐照损伤机制的异同 | 第49-51页 |
| 3.3.2 中子与质子辐照损伤机制的异同 | 第51-54页 |
| 3.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 中子辐照损伤实验与分析 | 第55-69页 |
| 4.1 InGaAs光电探测器中子辐照损伤实验 | 第55-60页 |
| 4.1.1 中子辐照实验方法 | 第55-57页 |
| 4.1.2 样品制备 | 第57页 |
| 4.1.3 样品分组 | 第57-60页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第60-64页 |
| 4.2.1 辐照对器件光谱响应的影响 | 第60-61页 |
| 4.2.2 辐照对器件响应度的影响 | 第61页 |
| 4.2.3 辐照对器件暗电流的影响 | 第61-64页 |
| 4.3 中子辐照机理分析 | 第64-66页 |
| 4.4 InGaAs光电探测器辐照损伤的预估方法 | 第66-67页 |
| 4.5 本章小结 | 第67-69页 |
| 第五章 结论与展望 | 第69-71页 |
| 5.1 全文总结 | 第69页 |
| 5.2 展望 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-74页 |
