摘要 | 第5-7页 |
abstract | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第12-16页 |
1.1 宇航环境中的辐射效应和国内外研究动态 | 第12-14页 |
1.2 抗辐射加固专用数模混合集成电路的研究意义 | 第14页 |
1.3 本文主要工作 | 第14-15页 |
1.4 本论文的结构安排 | 第15-16页 |
第二章 抗辐射加固专用电路的设计 | 第16-65页 |
2.1 设计指标要求 | 第16页 |
2.2 整体设计方案 | 第16-18页 |
2.2.1 电路设计方案 | 第16-18页 |
2.2.2 工艺方案 | 第18页 |
2.3 单元设计 | 第18-48页 |
2.3.1 专用数字逻辑电路设计 | 第19-29页 |
2.3.1.1 前端设计和仿真验证 | 第19-28页 |
2.3.1.2 后端设计 | 第28-29页 |
2.3.2 十通道8位ADC设计 | 第29-36页 |
2.3.2.1 256 R电阻梯形网络设计 | 第31页 |
2.3.2.2 比较器设计 | 第31-32页 |
2.3.2.3 十选一开关电路设计 | 第32-33页 |
2.3.2.4 电压基准源设计 | 第33-34页 |
2.3.2.5 SAR逻辑电路设计 | 第34-35页 |
2.3.2.6 ADC核仿真 | 第35-36页 |
2.3.3 RS-422接收器设计 | 第36-42页 |
2.3.3.1 输入电阻衰减网络设计 | 第37-39页 |
2.3.3.2 比较器单元设计 | 第39-40页 |
2.3.3.3 输出驱动级设计 | 第40-41页 |
2.3.3.4 RS-422接收器整体仿真 | 第41-42页 |
2.3.3.5 RS-422接收器版图设计 | 第42页 |
2.3.4 RS-422驱动器设计 | 第42-45页 |
2.3.4.1 RS-422驱动器电路设计 | 第42-44页 |
2.3.4.2 RS-422驱动器整体电路设计仿真 | 第44-45页 |
2.3.5 TTL接收器/驱动器设计 | 第45-46页 |
2.3.6 上电复位单元设计 | 第46-48页 |
2.4 整体电路设计 | 第48-49页 |
2.5 整体版图设计 | 第49-50页 |
2.6 可靠性设计 | 第50-54页 |
2.6.1 容差设计 | 第51-52页 |
2.6.2 降额设计 | 第52页 |
2.6.3 热设计 | 第52页 |
2.6.4 ESD防护设计 | 第52-54页 |
2.6.5 抗闩锁设计 | 第54页 |
2.7 抗辐射加固设计 | 第54-64页 |
2.7.1 电离辐射效应(总剂量辐射效应) | 第54-57页 |
2.7.1.1 机理 | 第54-55页 |
2.7.1.2 辐射效应及加固措施 | 第55-57页 |
2.7.1.3 抗总剂量设计方案 | 第57页 |
2.7.2 单粒子效应 | 第57-62页 |
2.7.2.1 单粒子效应对MOS管的影响 | 第58-60页 |
2.7.2.2 单粒子效应加固措施 | 第60-62页 |
2.7.2.3 抗单粒子设计方案 | 第62页 |
2.7.3 抗辐射数字单元库 | 第62-64页 |
2.8 本章小结 | 第64-65页 |
第三章 抗辐射加固专用电路的测试结果 | 第65-76页 |
3.1 封装方案 | 第65-66页 |
3.2 测试方案 | 第66-67页 |
3.2.1 测试系统搭建方案 | 第66-67页 |
3.2.2 电特性测试方案 | 第67页 |
3.3 电性能测试结果 | 第67-70页 |
3.4 辐照试验结果 | 第70-75页 |
3.4.1 总剂量辐照试验方案 | 第70-71页 |
3.4.2 总剂量辐照试验结果 | 第71页 |
3.4.3 单粒子锁定试验方案 | 第71-72页 |
3.4.4 单粒子锁定试验结果 | 第72-73页 |
3.4.5 单粒子翻转试验方案 | 第73-74页 |
3.4.6 单粒子翻转试验结果 | 第74-75页 |
3.5 本章小结 | 第75-76页 |
第四章 结论 | 第76-78页 |
4.1 本文的主要贡献 | 第76-77页 |
4.2 下一步工作的展望 | 第77-78页 |
致谢 | 第78-79页 |
参考文献 | 第79-82页 |
攻硕期间取得的研究成果 | 第82页 |