| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-31页 |
| 1.1 超导材料的发展历程 | 第12-13页 |
| 1.2 高温超导材料应用 | 第13-15页 |
| 1.3 高温超导带材的发展 | 第15-18页 |
| 1.3.1 第一代BSCCO高温超导带材 | 第15-16页 |
| 1.3.2 第二代YBCO高温超导带材 | 第16-18页 |
| 1.4 YBCO超导带材的结构 | 第18-26页 |
| 1.4.1 双轴织构的获取 | 第18-21页 |
| 1.4.2 RABiTS金属基带的选择 | 第21-22页 |
| 1.4.3 缓冲层的选择 | 第22-24页 |
| 1.4.4 缓冲层的制备方法 | 第24-25页 |
| 1.4.5 YBCO超导层制备方法 | 第25-26页 |
| 1.5 YBCO超导带材的发展现状与发展趋势 | 第26-30页 |
| 1.6 论文选题依据及研究内容 | 第30-31页 |
| 第二章 实验方法与原理 | 第31-39页 |
| 2.1 实验方法 | 第31-34页 |
| 2.1.1 溅射法 | 第31页 |
| 2.1.2 磁控溅射 | 第31-32页 |
| 2.1.3 磁控反应溅射 | 第32-33页 |
| 2.1.4 脉冲激光沉积 | 第33-34页 |
| 2.2 测试方法 | 第34-39页 |
| 2.2.1 X射线衍射分析 | 第34-35页 |
| 2.2.2 电子背散射衍射 | 第35-36页 |
| 2.2.3 原子力显微镜 | 第36-37页 |
| 2.2.4 扫描电子显微镜 | 第37页 |
| 2.2.5 超导电学性能测试 | 第37-39页 |
| 第三章 双面CeO_2/YSZ/Y_2O_3缓冲层的生长控制研究 | 第39-95页 |
| 3.1 实验设备与基带 | 第39-42页 |
| 3.1.1 实验设备 | 第39-40页 |
| 3.1.2 基带 | 第40-42页 |
| 3.2 工作气体与反应气体的选择 | 第42-43页 |
| 3.3 Y_2O_3种子层的生长控制研究 | 第43-72页 |
| 3.3.1 水分压对Y_2O_3种子层外延生长的研究 | 第43-45页 |
| 3.3.2 溅射气压对Y_2O_3薄膜影响 | 第45-48页 |
| 3.3.3 沉积温度对Y_2O_3薄膜取向生长控制研究 | 第48-50页 |
| 3.3.4 Y_2O_3薄膜面内外结构研究 | 第50-53页 |
| 3.3.5 Y_2O_3薄膜宏观应力对面外织构的影响 | 第53-58页 |
| 3.3.6 Y_2O_3种子层的EBSD表征 | 第58-63页 |
| 3.3.7 Y_2O_3种子层晶界分布计算 | 第63-67页 |
| 3.3.8 Y_2O_3薄膜表面形貌分析 | 第67-70页 |
| 3.3.9 Y_2O_3薄膜的长带制备及均匀性研究 | 第70-72页 |
| 3.4 阻挡层YSZ的生长控制研究 | 第72-81页 |
| 3.4.1 水分压对YSZ阻挡层影响 | 第73-74页 |
| 3.4.2 溅射气压对制备YSZ薄膜的影响 | 第74-75页 |
| 3.4.3 沉积温度对YSZ薄膜的影响 | 第75-78页 |
| 3.4.4 卷绕速度YSZ薄膜的影响 | 第78-80页 |
| 3.4.5 YSZ薄膜的长带制备及均匀性研究 | 第80-81页 |
| 3.5 模板层CeO_2的生长控制研究 | 第81-89页 |
| 3.5.1 沉积温度对CeO_2薄膜表面的影响 | 第82-85页 |
| 3.5.2 溅射功率对CeO_2薄膜表面的影响 | 第85-87页 |
| 3.5.3 卷绕速度对CeO_2薄膜表面的影响 | 第87-89页 |
| 3.6 双面缓冲层结构的表征 | 第89-90页 |
| 3.7 双面CeO_2/YSZ/Y_2O_3缓冲层的连续沉积 | 第90-93页 |
| 3.8 本章小结 | 第93-95页 |
| 第四章 CeO_2/YSZ/Y_2O_3缓冲层微结构对YBCO载流能力的影响 | 第95-112页 |
| 4.1 缓冲层织构对YBCO载流能力的影响 | 第95-100页 |
| 4.1.1 晶界模型化处理及计算 | 第96-99页 |
| 4.1.2 不同织构的缓冲层上生长YBCO性能表征 | 第99-100页 |
| 4.2 缓冲层表面形貌对YBCO载流能力的影响 | 第100-106页 |
| 4.2.1 YBCO结构、形貌和性能变化 | 第101-104页 |
| 4.2.2 表面形貌对YBCO薄膜生长的理论分析 | 第104-106页 |
| 4.3 YBCO薄膜的性能表征 | 第106-110页 |
| 4.4 本章小结 | 第110-112页 |
| 第五章 中频磁控反应溅射快速制备Y_2O_3种子层 | 第112-127页 |
| 5.1 水分压对中频溅射制备Y_2O_3种子层的影响 | 第115-117页 |
| 5.2 阴极电压对中频溅射制备Y_2O_3种子层的影响 | 第117-119页 |
| 5.3 溅射气压对中频溅射制备Y_2O_3种子层织构的影响 | 第119-123页 |
| 5.4 溅射气压对中频溅射制备Y_2O_3种子层形貌的影响 | 第123-124页 |
| 5.5 中频溅射制备Y_2O_3种子层上制备YSZ和CeO_2薄膜 | 第124-126页 |
| 5.6 本章小结 | 第126-127页 |
| 第六章 全导电缓冲层SRO/TiN的制备 | 第127-140页 |
| 6.1 TiN薄膜的制备 | 第127-134页 |
| 6.1.1 沉积温度对TiN薄膜织构的影响 | 第127-129页 |
| 6.1.2 沉积温度及脉冲频率对TiN薄膜表面的影响 | 第129-134页 |
| 6.2 SRO模板层的制备和YBCO电学性能表征 | 第134-138页 |
| 6.2.1 SRO模板层的制备 | 第134-136页 |
| 6.2.2 全导电缓冲层上YBCO超导层的试制 | 第136-138页 |
| 6.3 本章小结 | 第138-140页 |
| 第七章 结论 | 第140-142页 |
| 致谢 | 第142-143页 |
| 参考文献 | 第143-155页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第155-156页 |
