| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第10页 |
| 1.2 总剂量效应的国内外研究历史与现状 | 第10-12页 |
| 1.3 本文的主要贡献与创新 | 第12页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第12-14页 |
| 第二章 总剂量效应辐照原理 | 第14-23页 |
| 2.1 总剂量辐照电离过程概述 | 第14-17页 |
| 2.1.1 电离电荷的产生 | 第14-15页 |
| 2.1.2 氧化层陷阱电荷 | 第15-16页 |
| 2.1.3 界面态陷阱电荷 | 第16-17页 |
| 2.2 总剂量效应对NMOS器件的影响 | 第17-19页 |
| 2.2.1 阈值电压的漂移 | 第17-18页 |
| 2.2.2 泄漏电流增大 | 第18页 |
| 2.2.3 跨导退化 | 第18-19页 |
| 2.3 不同偏压对辐照过程的影响 | 第19-22页 |
| 2.3.1 最坏偏压情况 | 第19页 |
| 2.3.2 负向偏压 | 第19页 |
| 2.3.3 零偏压对总剂量辐照的影响 | 第19-20页 |
| 2.3.4 不同偏压对辐照参数的影响 | 第20-22页 |
| 2.4 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 NMOS抗总剂量辐照设计 | 第23-37页 |
| 3.1 各抗辐照加固措施仿真 | 第23-35页 |
| 3.1.1 H型栅结构的仿真 | 第24-26页 |
| 3.1.2 锯齿栅结构的仿真 | 第26-29页 |
| 3.1.3 环栅结构的仿真 | 第29-31页 |
| 3.1.4 P+型多晶硅栅的仿真 | 第31-35页 |
| 3.2 辐照实验方案 | 第35页 |
| 3.2.1 辐照实验目的与方法 | 第35页 |
| 3.2.2 芯片版图设计 | 第35页 |
| 3.3 本章小结 | 第35-37页 |
| 第四章 辐照实验与测试 | 第37-52页 |
| 4.1 NMOS管流片制备 | 第37页 |
| 4.2 辐照实验与测试过程 | 第37-40页 |
| 4.2.1 辐照实验过程 | 第37-38页 |
| 4.2.2 辐照后测试过程 | 第38-40页 |
| 4.3 NMOS管辐照测试结果分析 | 第40-50页 |
| 4.3.1 转移曲线结果分析 | 第40-46页 |
| 4.3.1.1 总剂量与电压对辐照转移曲线的影响 | 第40-44页 |
| 4.3.1.2 宽长比对NMOS管转移特性退化的影响 | 第44-46页 |
| 4.3.2 输出曲线结果分析 | 第46-50页 |
| 4.3.2.1 总剂量与电压对辐照输出曲线的影响 | 第46-49页 |
| 4.3.2.2 宽长比对NMOS管输出特性退化的影响 | 第49-50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 第五章 辐照诱生氧化层固定电荷建模 | 第52-62页 |
| 5.1 辐照诱生电荷的提取 | 第52-55页 |
| 5.2 氧化层固定电荷建模 | 第55-60页 |
| 5.2.1 辐照建模分析 | 第55-56页 |
| 5.2.2 栅氧内辐照固定电荷建模 | 第56-57页 |
| 5.2.3 鸟嘴区电荷等效建模 | 第57-59页 |
| 5.2.4 模型仿真和求解 | 第59-60页 |
| 5.3 本章小结 | 第60-62页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第62-64页 |
| 6.1 全文总结 | 第62页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第69-70页 |