| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状和发展趋势 | 第11-16页 |
| 1.3 课题研究意义 | 第16页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第16-17页 |
| 第二章 高压SenseFET基本理论与导通模型 | 第17-39页 |
| 2.1 高压SenseFET基本结构及工作原理 | 第17-19页 |
| 2.2 C-SenseFET的击穿特性 | 第19-24页 |
| 2.2.1 C-SenseFET的击穿原理 | 第19-21页 |
| 2.2.2 C-SenseFET耐压提高措施 | 第21-24页 |
| 2.3 C-SenseFET的导通特性及导通模型 | 第24-37页 |
| 2.3.1 线性区导通 | 第24-25页 |
| 2.3.2 饱和区导通 | 第25-30页 |
| 2.3.3 导通模型建立 | 第30-37页 |
| 2.3.3.1 非饱和区模型的建立 | 第32-34页 |
| 2.3.3.2 饱和区模型的建立 | 第34-35页 |
| 2.3.3.3 C-SenseFET导通模型的拓展 | 第35-37页 |
| 2.4 C-SenseFET与功率开关的连接方式 | 第37-38页 |
| 2.5 本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 一种 700V C-SenseFET的设计 | 第39-55页 |
| 3.1 工艺介绍 | 第39-40页 |
| 3.2 C-SenseFET器件设计 | 第40-49页 |
| 3.2.1 C-SenseFET器件结构设计 | 第40-41页 |
| 3.2.2 C-SenseFET与LDMOS的连接设计 | 第41-42页 |
| 3.2.3 器件特性仿真和分析 | 第42-44页 |
| 3.2.4 C-SenseFET模型计算及验证 | 第44-49页 |
| 3.2.4.1 C-SenseFET模型计算 | 第44-46页 |
| 3.2.4.2 C-SenseFET模型验证 | 第46-49页 |
| 3.3 C-SenseFET验证电路设计 | 第49-52页 |
| 3.4 C-SenseFET流片设计 | 第52-54页 |
| 3.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 700V C-SenseFET流片测试结果 | 第55-66页 |
| 4.1 C-SenseFET器件测试结果 | 第55-59页 |
| 4.1.1 C-SenseFET耐压测试结果 | 第55-56页 |
| 4.1.2 C-SenseFET导通特性测试结果 | 第56-58页 |
| 4.1.3 带C-SenseFET的LDMOS电特性测试 | 第58-59页 |
| 4.2 C-SenseFET验证电路测试 | 第59-65页 |
| 4.2.1 输入及输出波形测试 | 第59-62页 |
| 4.2.2 其他电路性能测试 | 第62-65页 |
| 4.3 本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 结论 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第71-72页 |
