| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-27页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 量子点概述 | 第9-11页 |
| 1.3 量子点发光二极管概述 | 第11-24页 |
| 1.3.1 量子点发光二极管的结构 | 第11-12页 |
| 1.3.2 量子点发光二极管工作原理 | 第12-13页 |
| 1.3.3 量子点发光二极管的表征 | 第13-15页 |
| 1.3.4 量子点发光二极管的发展现状 | 第15-24页 |
| 1.3.4.1 单色量子点发光二极管的发展现状 | 第15-19页 |
| 1.3.4.2 白色量子点发光二极管的发展现状 | 第19-22页 |
| 1.3.4.3 柔性量子点发光二极管的发展现状 | 第22-24页 |
| 1.4 本课题的选题依据和研究内容 | 第24-27页 |
| 1.4.1 论文的选题依据 | 第24-25页 |
| 1.4.2 本课题的主要研究内容 | 第25-27页 |
| 第二章 量子点发光二极管制备技术的研究 | 第27-41页 |
| 2.1 引言 | 第27页 |
| 2.2 poly-TPD薄膜的制备和表征 | 第27-30页 |
| 2.2.1 浓度对poly-TPD薄膜表面形貌的影响 | 第28-29页 |
| 2.2.2 退火温度对poly-TPD薄膜表面形貌的影响 | 第29-30页 |
| 2.3 量子点薄膜的制备和表征 | 第30-34页 |
| 2.3.1 浓度对量子点薄膜表面形貌的影响 | 第30-32页 |
| 2.3.2 旋转速率对量子点薄膜表面形貌的影响 | 第32-33页 |
| 2.3.3 退火温度对量子点薄膜表面形貌的影响 | 第33-34页 |
| 2.4 红光量子点发光二极管的制备及性能研究 | 第34-40页 |
| 2.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 第三章 基于CdSe/ZnS量子点的红光柔性发光二极管性能研究 | 第41-54页 |
| 3.1 引言 | 第41页 |
| 3.2 柔性ITO阳极的表面处理 | 第41-44页 |
| 3.2.1 柔性ITO电极的制备 | 第41-42页 |
| 3.2.2 柔性ITO电极的表面优化 | 第42-44页 |
| 3.3 HTL/QDs叠层薄膜与HTL:QDs混合薄膜对器件性能的影响 | 第44-47页 |
| 3.3.1 HTL/QDs叠层薄膜与HTL:QDs混合薄膜的制备 | 第44页 |
| 3.3.2 基于HTL/QD叠层薄膜及HTL:QD混合薄膜器件的制备 | 第44页 |
| 3.3.3 基于HTL/QD薄膜及HTL:QD薄膜器件的性能对比研究 | 第44-47页 |
| 3.4 氩等离子体处理对器件性能的影响 | 第47-52页 |
| 3.4.1 有无氩等离子体处理对器件性能的影响 | 第47-51页 |
| 3.4.2 不同氩等离子体处理时间对器件发光的影响 | 第51-52页 |
| 3.5 本章小结 | 第52-54页 |
| 第四章 基于CdSe/ZnS量子点的白光柔性发光二极管性能研究 | 第54-65页 |
| 4.1 引言 | 第54页 |
| 4.2 白光器件结构优化 | 第54-57页 |
| 4.3 白光器件的CIE坐标优化 | 第57-64页 |
| 4.3.1 DPVBi:QD的配比对CIE坐标的影响 | 第57-60页 |
| 4.3.2 PVK掺杂对器件CIE坐标的影响 | 第60-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 总结与展望 | 第65-68页 |
| 参考文献 | 第68-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 作者简介 | 第76-77页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第77-78页 |
