| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 InGaAs红外探测器发展现状与趋势 | 第9-10页 |
| 1.2 InGaAs红外探测器的工作原理 | 第10页 |
| 1.3 InGaAs红外探测器的制作工艺 | 第10-13页 |
| 1.3.1 GSMBE外延生长技术 | 第10-11页 |
| 1.3.2 扩散工艺 | 第11-12页 |
| 1.3.3 台面成型工艺 | 第12页 |
| 1.3.4 表面钝化工艺 | 第12-13页 |
| 1.4 InGaAs红外探测器的暗电流 | 第13-17页 |
| 1.4.1 体暗电流的物理机制及来源 | 第13-16页 |
| 1.4.2 表面暗电流的物理机制及来源 | 第16-17页 |
| 1.5 本课题的研究目标 | 第17-18页 |
| 参考文献 | 第18-20页 |
| 第二章 表面钝化方法研究及表面性能表征方法 | 第20-31页 |
| 2.1 半导体表面工艺处理方法 | 第20-23页 |
| 2.1.1 表面钝化绝缘层薄膜 | 第20-22页 |
| 2.1.2 表面硫化 | 第22-23页 |
| 2.1.3 有机钝化 | 第23页 |
| 2.2 半导体表面性能表征方法 | 第23-29页 |
| 2.2.1 电子能谱(XPS) | 第23-24页 |
| 2.2.2 光致发光(PL) | 第24-25页 |
| 2.2.3 C-V测试法计算界面态密度 | 第25-29页 |
| 参考文献 | 第29-31页 |
| 第三章 PECVD和ICPCVD钝化工艺对器件表面性能的影响 | 第31-45页 |
| 3.1 InAlAs/InGaAs/InP探测器的表面钝化 | 第32-35页 |
| 3.1.1 两种钝化工艺下的器件制备 | 第32-33页 |
| 3.1.2 Ⅰ-Ⅴ特性研究 | 第33-35页 |
| 3.2 Au/SiN_x/InAlAs(MIS)器件的界面特性研究 | 第35-42页 |
| 3.2.1 两种钝化工艺下的MIS器件制备 | 第35页 |
| 3.2.2 MIS器件的C-V特性研究 | 第35-39页 |
| 3.2.3 SiN_x/InAlAs界面的XPS谱研究 | 第39-42页 |
| 3.3 本章小结 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-45页 |
| 第四章 ICPCVD钝化工艺优化与器件验证 | 第45-57页 |
| 4.1 N_2/SiH_4流量比对器件性能的影响 | 第46-49页 |
| 4.1.1 器件制备 | 第46-48页 |
| 4.1.2 Ⅰ-Ⅴ特性研究 | 第48-49页 |
| 4.2 N_2/SiH_4流量比对器件界面性能的影响 | 第49-55页 |
| 4.2.1 SiN_x/InAlAs结构的制备 | 第49页 |
| 4.2.2 SiN_x膜的PL谱研究 | 第49-51页 |
| 4.2.3 SiN_x/InAlAs界面的XPS谱研究 | 第51-53页 |
| 4.2.4 SiN_x/InAlAs界面键结合能的第一性原理计算 | 第53-55页 |
| 4.3 本章小结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
| 第五章 结论与展望 | 第57-59页 |
| 硕士期间成果 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
