| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 1 引言 | 第12-22页 |
| 1.1 GaN器件的发展和现状 | 第12-14页 |
| 1.2 GaN器件的特性 | 第14-18页 |
| 1.2.1 GaN材料 | 第14-16页 |
| 1.2.2 GaN器件的分类及特性 | 第16-18页 |
| 1.3 增强型GaN器件的性能评估 | 第18-20页 |
| 1.3.1 增强型GaN器件的性能 | 第18-19页 |
| 1.3.2 增强型GaN器件的应用特性 | 第19-20页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第20-22页 |
| 2 增强型GaN晶体管的特性 | 第22-30页 |
| 2.1 增强型GaN晶体管的静态特性 | 第22-26页 |
| 2.1.1 增强型GaN晶体管的静态特性分析 | 第22-25页 |
| 2.1.2 增强型GaN晶体管的静态特性测试 | 第25-26页 |
| 2.2 增强型GaN晶体管的动态特性 | 第26-28页 |
| 2.2.1 增强型GaN晶体管的动态特性分析 | 第26-28页 |
| 2.2.2 增强型GaN晶体管的动态特性测试 | 第28页 |
| 2.3 本章小结 | 第28-30页 |
| 3 单体增强型GaN晶体管的驱动电路设计 | 第30-44页 |
| 3.1 高频驱动电路存在的问题 | 第30-33页 |
| 3.1.1 杂散电容的影响 | 第30-32页 |
| 3.1.2 杂散电感的影响 | 第32-33页 |
| 3.2 高频驱动电路的选取 | 第33-38页 |
| 3.2.1 几种高频驱动电路的对比 | 第33-36页 |
| 3.2.2 驱动芯片的选择 | 第36-38页 |
| 3.3 驱动电路设计及优化 | 第38-40页 |
| 3.3.1 驱动电路设计 | 第38-39页 |
| 3.3.2 驱动电路布局及优化 | 第39-40页 |
| 3.4 实验验证 | 第40-42页 |
| 3.4.1 采用LM5114的驱动电路的实验波形 | 第40-41页 |
| 3.4.2 采用LM5113的驱动电路的实验波形 | 第41-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-44页 |
| 4 单体增强型GaN晶体管在LLC谐振变换器中的应用 | 第44-68页 |
| 4.1 LLC谐振变换器工作原理 | 第44-46页 |
| 4.2 主电路参数设计及损耗分析 | 第46-56页 |
| 4.2.1 开关管选型 | 第46-47页 |
| 4.2.2 变压器参数设计 | 第47-51页 |
| 4.2.3 谐振电容选型 | 第51-52页 |
| 4.2.4 副边元器件选型 | 第52-54页 |
| 4.2.5 基于GaN晶体管的与基于MOSFET的主电路损耗对比 | 第54-56页 |
| 4.3 LLC谐振变换器的LTspice仿真 | 第56-60页 |
| 4.3.1 GaN晶体管的LTspice模型 | 第56-58页 |
| 4.3.2 基于GaN晶体管的LLC谐振变换器LTspice仿真 | 第58-59页 |
| 4.3.3 GaN晶体管与MOSFET的损耗仿真结果对比 | 第59-60页 |
| 4.4 基于GaN晶体管的变换器实验分析与效率优化 | 第60-66页 |
| 4.4.1 基于GaN晶体管的变换器实验分析 | 第60-61页 |
| 4.4.2 输出二极管的优化 | 第61-63页 |
| 4.4.3 死区时间调整 | 第63-65页 |
| 4.4.4 主电路板PCB布局优化 | 第65-66页 |
| 4.5 本章小结 | 第66-68页 |
| 5 LLC谐振变换器的方案优化与实验验证 | 第68-80页 |
| 5.1 主电路工作原理 | 第68-69页 |
| 5.2 主电路参数设计及损耗分析 | 第69-72页 |
| 5.2.1 元器件选型 | 第69-70页 |
| 5.2.2 平面变压器设计 | 第70-72页 |
| 5.2.3 主电路损耗分析 | 第72页 |
| 5.3 仿真及实验分析 | 第72-74页 |
| 5.3.1 基于LTspice的电路仿真 | 第72-73页 |
| 5.3.2 实验分析 | 第73-74页 |
| 5.4 效率优化 | 第74-78页 |
| 5.4.1 平面变压器优化 | 第74-77页 |
| 5.4.2 死区时间调整 | 第77-78页 |
| 5.5 本章小结 | 第78-80页 |
| 6 结论 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-86页 |
| 作者简历 | 第86-90页 |
| 学位论文数据集 | 第90页 |
