| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-59页 |
| 1.1 有机场效应晶体管简介 | 第10-20页 |
| 1.1.1 有机场效应晶体管的结构 | 第11-12页 |
| 1.1.2 有机场效应晶体管的分类 | 第12-13页 |
| 1.1.3 有机场效应晶体管的工作原理 | 第13-14页 |
| 1.1.4 有机场效应晶体管的器件性能参数 | 第14-17页 |
| 1.1.5 影响有机场效应晶体管性能的因素 | 第17-20页 |
| 1.1.5.1 有机半导体材料能级对晶体管性能的影响 | 第18-19页 |
| 1.1.5.2 有机半导体材料凝聚态结构对晶体管性能的影响 | 第19-20页 |
| 1.2 有机场效应晶体管的组成 | 第20-31页 |
| 1.2.1 有机场效应晶体管的半导体材料 | 第21-27页 |
| 1.2.1.1 典型的P型有机半导体材料 | 第23-25页 |
| 1.2.1.2 典型的n型有机半导体材料 | 第25-27页 |
| 1.2.2 有机场效应晶体管的电极 | 第27-28页 |
| 1.2.3 有机场效应晶体管的绝缘材料 | 第28-31页 |
| 1.3 有机场效应晶体管制备技术 | 第31-35页 |
| 1.3.1 光刻技术 | 第31-32页 |
| 1.3.2 真空沉积技术 | 第32页 |
| 1.3.3 甩膜制备技术 | 第32页 |
| 1.3.4 Langmuir-Blodgett制备技术 | 第32-33页 |
| 1.3.5 喷墨打印技术 | 第33-34页 |
| 1.3.6 印章技术 | 第34-35页 |
| 1.4 有机场效应晶体管的应用 | 第35-38页 |
| 1.4.1 射频识别标签(RFID) | 第35-36页 |
| 1.4.2 电子纸 | 第36-37页 |
| 1.4.3 传感器 | 第37页 |
| 1.4.4 智能卡 | 第37-38页 |
| 1.5 介电层的表面修饰 | 第38-40页 |
| 1.5.1 基于自组装分子层的介电层表面修饰 | 第38-39页 |
| 1.5.2 基于高分子聚合物的介电层表面修饰 | 第39-40页 |
| 1.6 半导体/介电层界面性质的利用 | 第40-43页 |
| 1.6.1 关于聚合物表面粘弹性的研究 | 第40-41页 |
| 1.6.2 有机半导体的有序排布 | 第41-42页 |
| 1.6.3 非易失性存储器 | 第42-43页 |
| 1.7 本论文选题的依据与研究内容 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-59页 |
| 第二章 喷墨打印法制备TTF-TCNQ修饰层的高性能场效应晶体管 | 第59-83页 |
| 2.1 引言 | 第59-62页 |
| 2.2 TTF-TCNQ修饰层的高性能场效应晶体管的制备和性能研究 | 第62-78页 |
| 2.2.1 实验部分 | 第62-64页 |
| 2.2.1.1 试剂及仪器 | 第62页 |
| 2.2.1.2 介面的修饰和有机场效应晶体管的构筑 | 第62-64页 |
| 2.2.2 实验结果与讨论 | 第64-78页 |
| 2.2.2.1 喷墨打印条件的优化 | 第64-65页 |
| 2.2.2.2 TTF-TCNQ作为缓冲层的并五苯器件性能研究 | 第65-68页 |
| 2.2.2.3 TTF-TCNQ作为缓冲层的并五苯器件形貌研究 | 第68-69页 |
| 2.2.2.4 TTF-TCNQ作为缓冲层器件性能提高机理的研究 | 第69-73页 |
| 2.2.2.5 TTF-TCNQ作为缓冲层的并四苯器件性能研究 | 第73-74页 |
| 2.2.2.6 TTF-TCNQ作为缓冲层的并四苯器件形貌研究 | 第74-75页 |
| 2.2.2.7 TTF-TCNQ作为缓冲层的酞氰铜器件性能研究 | 第75-77页 |
| 2.2.2.8 TTF-TCNQ作为缓冲层的酞氰铜器件形貌研究 | 第77-78页 |
| 2.3 本章小结 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-83页 |
| 第三章 二苯乙烯联苯的合成、表征及有机场效应器件性能研究 | 第83-119页 |
| 3.1 引言 | 第83-85页 |
| 3.2 实验部分 | 第85页 |
| 3.2.1 原料与试剂 | 第85页 |
| 3.2.2 实验中的测试仪器 | 第85页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第85-115页 |
| 3.3.1 合成与结构表征 | 第85-90页 |
| 3.3.1.1 中间体4,4’-亚联苯基双甲磷酸二乙酯的合成 | 第86页 |
| 3.3.1.2 4,4-二苯乙烯联苯衍生物的合成与表征 | 第86-90页 |
| 3.3.2 场效应晶体管测试及性能研究 | 第90-106页 |
| 3.3.3 薄膜形貌表征 | 第106-115页 |
| 3.4 本章小结 | 第115-117页 |
| 参考文献 | 第117-119页 |
| 第四章 二苯乙烯苯的合成、表征及有机场效应器件性能研究 | 第119-141页 |
| 4.1 引言 | 第119-120页 |
| 4.2 实验部分 | 第120-121页 |
| 4.2.1 原料与试剂 | 第120-121页 |
| 4.2.2 实验中的测试仪器 | 第121页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第121-136页 |
| 4.3.1 合成与结构表征 | 第121-124页 |
| 4.3.1.1 中间体4,4’-亚苯基双甲磷酸二乙酯的合成 | 第121页 |
| 4.3.1.2 1,4-二苯乙烯苯衍生物的合成与表征 | 第121-124页 |
| 4.3.2 场效应晶体管测试及性能研究 | 第124-133页 |
| 4.3.3 薄膜形貌表征 | 第133-136页 |
| 4.4 本章小结 | 第136-138页 |
| 参考文献 | 第138-141页 |
| 结论 | 第141-143页 |
| 致谢 | 第143-144页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第144-145页 |
