用于磁场传感器的非晶薄膜磁化特性分析
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 课题背景及意义 | 第8-9页 |
| 1.2 非晶薄膜材料特性及研究现状 | 第9-12页 |
| 1.2.1 非晶态材料特性 | 第9-11页 |
| 1.2.2 非晶薄膜国内外研究发展现状 | 第11-12页 |
| 1.3 电磁学计算国内外研究发展现状 | 第12-13页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第13-15页 |
| 第2章 磁化特性分析理论基础 | 第15-23页 |
| 2.1 基本磁学物理量 | 第15-16页 |
| 2.2 磁体内的基本能量项 | 第16-17页 |
| 2.2.1 交换能 | 第16页 |
| 2.2.2 磁晶各向异性能 | 第16-17页 |
| 2.2.3 静磁能 | 第17页 |
| 2.2.4 外磁能 | 第17页 |
| 2.3 磁化原理与磁畴结构 | 第17-21页 |
| 2.3.1 磁畴起源及分析 | 第17-18页 |
| 2.3.2 畴壁能计算 | 第18-19页 |
| 2.3.3 畴壁分类 | 第19-20页 |
| 2.3.4 磁化机制 | 第20-21页 |
| 2.4 磁学问题的数值分析方法 | 第21-22页 |
| 2.4.1 有限元分析理论 | 第21页 |
| 2.4.2 有限差分分析理论 | 第21-22页 |
| 2.5 本章小结 | 第22-23页 |
| 第3章 非晶薄膜磁化特性有限元分析 | 第23-38页 |
| 3.1 有限元仿真方法及原理 | 第23-26页 |
| 3.1.1 有限元仿真方法比较及选定 | 第23-24页 |
| 3.1.2 有限元仿真原理分析 | 第24-25页 |
| 3.1.3 ANSYS有限元仿真求解步骤 | 第25-26页 |
| 3.2 基于有限元的非晶薄膜磁性分析 | 第26-30页 |
| 3.2.1 ANSYS磁场仿真类型设置 | 第26页 |
| 3.2.2 Co基非晶薄膜实体模型建立 | 第26-27页 |
| 3.2.3 Co基非晶薄膜有限元模型建立 | 第27-29页 |
| 3.2.4 Co基非晶薄膜有限元模型求解 | 第29页 |
| 3.2.5 Co基非晶薄膜仿真结果后处理 | 第29-30页 |
| 3.3 有限元仿真结果分析 | 第30-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第4章 非晶薄膜磁化特性有限差分分析 | 第38-54页 |
| 4.1 CO基非晶薄膜磁化模型建立 | 第38-40页 |
| 4.2 CO基非晶薄膜畴壁能量分析 | 第40-46页 |
| 4.2.1 畴壁交换能分析 | 第40-43页 |
| 4.2.2 畴壁各向异性能分析 | 第43-44页 |
| 4.2.3 畴壁静磁能分析 | 第44-45页 |
| 4.2.4 外磁能分析 | 第45-46页 |
| 4.3 CO基非晶薄膜磁化状态仿真与分析 | 第46-53页 |
| 4.3.1 磁化状态建立及数值计算 | 第46-47页 |
| 4.3.2 基于Matlab的磁化状态仿真及分析 | 第47-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
