硅片低温直接键合方法研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第9-11页 |
| 1.2 国内外相关领域研究现状 | 第11-21页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第11-17页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第17-20页 |
| 1.2.3 国内外研究现状的分析 | 第20-21页 |
| 1.3 本课题主要研究内容 | 第21-23页 |
| 第2章 实验材料、设备和方法 | 第23-31页 |
| 2.1 实验材料 | 第23-24页 |
| 2.1.1 硅片样品的选取 | 第23页 |
| 2.1.2 实验所用化学试剂 | 第23-24页 |
| 2.2 实验设备 | 第24页 |
| 2.3 实验方法 | 第24-30页 |
| 2.3.1 硅片的低温直接键合方法 | 第25-27页 |
| 2.3.2 硅片直接键合的质量评价 | 第27-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 键合工艺对键合性能的影响 | 第31-48页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 键合界面SEM分析 | 第31-35页 |
| 3.3 不同工艺参数对键合率和键合强度的影响 | 第35-46页 |
| 3.3.1 氧化膜厚度对键合率和键合强度的影响 | 第35-36页 |
| 3.3.2 键合时间对键合率和键合强度的影响 | 第36-38页 |
| 3.3.3 键合温度对键合率和键合强度的影响 | 第38-40页 |
| 3.3.4 退火温度对键合率和键合强度的影响 | 第40-42页 |
| 3.3.5 键合压力对键合率和键合强度的影响 | 第42-44页 |
| 3.3.6 预键合过程对键合率和键合强度的影响 | 第44-45页 |
| 3.3.7 真空度对键合率和键合强度的影响 | 第45-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-48页 |
| 第4章 硅片直接键合机理探究 | 第48-53页 |
| 4.1 引言 | 第48页 |
| 4.2 硅片表面粗糙度 | 第48页 |
| 4.3 硅片表面氧化层 | 第48-49页 |
| 4.4 硅片表面Si-OH浓度的增加 | 第49-50页 |
| 4.4.1 硅片表面的拉曼检测 | 第49页 |
| 4.4.2 纳米硅溶胶的红外光谱检测 | 第49-50页 |
| 4.5 硅片界面结构及键合原理分析 | 第50-51页 |
| 4.6 硅片界面PN结的形成 | 第51-52页 |
| 4.7 本章小结 | 第52-53页 |
| 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
