| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第12-25页 |
| 1.1 引言 | 第12页 |
| 1.2 二维材料的研究进展 | 第12-19页 |
| 1.2.1 IV族元素的单层二维材料 | 第12-15页 |
| 1.2.2 V族元素的单层二维材料 | 第15-17页 |
| 1.2.3 III族元素的单层二维材料 | 第17页 |
| 1.2.4 二元化合物的单层二维材料 | 第17-19页 |
| 1.3 二维材料的性能调控 | 第19-23页 |
| 1.3.1 二维材料纳米带的电子性质及调控 | 第19-20页 |
| 1.3.2 二维材料的异质结构对体系性质的调制 | 第20-21页 |
| 1.3.3 二维材料中的缺陷效应及调控 | 第21-23页 |
| 1.3.4 应力和电场对二维材料的性能调控 | 第23页 |
| 1.4 本论文的研究目的与内容 | 第23-25页 |
| 第2章 理论方法 | 第25-33页 |
| 2.1 多粒子系统的薛定谔方程 | 第25-27页 |
| 2.2 Kohn-Sham方程 | 第27-28页 |
| 2.3 各种交换关联泛函的近似 | 第28-29页 |
| 2.4 求解Kohn-Sham方程 | 第29-30页 |
| 2.5 赝势方法 | 第30-32页 |
| 2.6 常用计算软件 | 第32-33页 |
| 第3章 基于VI族元素的新型二维单层材料的结构及光电特性 | 第33-47页 |
| 3.1 背景介绍 | 第33-34页 |
| 3.2 计算细节 | 第34-35页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第35-46页 |
| 3.3.1 Te二维单层材料的结构特性 | 第35-39页 |
| 3.3.2 Te二维单层材料碲烯的形成机制 | 第39页 |
| 3.3.3 Te二维单层材料碲烯的光、电特性 | 第39-42页 |
| 3.3.4 Te二维单层材料碲烯载流子迁移率 | 第42-44页 |
| 3.3.5 Te二维单层材料碲烯可能的实验制备途径 | 第44-46页 |
| 3.4 小结 | 第46-47页 |
| 第4章 III-V族BP二元化合物的单层结构及电子性质 | 第47-57页 |
| 4.1 背景介绍 | 第47-49页 |
| 4.2 计算方法 | 第49页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第49-56页 |
| 4.3.1 二维BP同素异构体的结构 | 第49-51页 |
| 4.3.2 BP同素异构体二维结构的稳定性 | 第51-52页 |
| 4.3.3 二维BP同素异构体的电子性质 | 第52-56页 |
| 4.4 小结 | 第56-57页 |
| 第5章 黑磷纳米带的边界效应及电、磁性质调控 | 第57-72页 |
| 5.1 背景介绍 | 第57-59页 |
| 5.2 计算方法 | 第59页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第59-70页 |
| 5.3.1 锯齿型黑磷纳米带的电子结构和磁性 | 第59-66页 |
| 5.3.2 不同边界类型黑磷纳米带的电子结构及磁性 | 第66-70页 |
| 5.4 小结 | 第70-72页 |
| 第6章 黑磷、锡烯中的晶界缺陷及电、磁性质调控 | 第72-83页 |
| 6.1 背景介绍 | 第72页 |
| 6.2 计算方法 | 第72页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第72-81页 |
| 6.3.1 黑磷烯中的晶界缺陷及掺杂效应 | 第72-78页 |
| 6.3.2 锡烯中的晶界缺陷 | 第78-81页 |
| 6.4 小结 | 第81-83页 |
| 第7章 总结与展望 | 第83-87页 |
| 参考文献 | 第87-98页 |
| 在学期间发表的学术论文和研究成果 | 第98-100页 |
| 致谢 | 第100页 |
