| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 GaN材料及AlGaN/GaN HEMT器件的研究现状 | 第11-12页 |
| 1.2.1 GaN材料的研究现状 | 第11页 |
| 1.2.2 AlGaN/GaN HEMT器件的研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 GaN材料的制备与表征 | 第12-19页 |
| 1.3.1 GaN材料外延生长技术 | 第12-15页 |
| 1.3.2 GaN材料外延生长的衬底 | 第15-16页 |
| 1.3.3 GaN材料的表征方法 | 第16-19页 |
| 1.4 AlGaN/GaN HEMT器件简介 | 第19-21页 |
| 1.4.1 AlGaN/GaN HEMT基本结构 | 第19页 |
| 1.4.2 AlGaN/GaN异质结结构 | 第19-21页 |
| 1.5 本论文主要工作 | 第21-22页 |
| 第2章 掺Fe高阻GaN缓冲层特性及其对AlGaN/GaN HEMT器件的影响 | 第22-30页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 掺杂源Cp_2Fe流量对GaN材料特性的影响 | 第22-26页 |
| 2.2.1 材料生长及实验方法 | 第22-23页 |
| 2.2.2 掺杂源Cp_2Fe流量对GaN材料晶体质量及表面形貌的影响 | 第23-25页 |
| 2.2.3 掺杂源Cp_2Fe流量对GaN材料电学特性的影响 | 第25页 |
| 2.2.4 掺杂源Cp_2Fe流量对GaN材料光学特性的影响 | 第25-26页 |
| 2.3 掺Fe高阻GaN缓冲层厚度对HEMT器件的影响 | 第26-29页 |
| 2.3.1 材料生长及实验方法 | 第26-27页 |
| 2.3.2 掺Fe高阻GaN缓冲层厚度对HEMT器件转移特性的影响 | 第27-28页 |
| 2.3.3 掺Fe高阻GaN缓冲层厚度对HEMT器件击穿特性的影响 | 第28-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 Si基GaN材料MOCVD生长研究 | 第30-44页 |
| 3.1 Si衬底上生长GaN材料及器件的优势 | 第30页 |
| 3.2 Si衬底上生长GaN材料的挑战及主要解决方法 | 第30-33页 |
| 3.3 HT-AlN缓冲层生长压力对Si基GaN外延的影响 | 第33-36页 |
| 3.3.1 材料生长及实验方法 | 第33-34页 |
| 3.3.2 生长压力对GaN材料表面形貌的影响 | 第34页 |
| 3.3.3 生长压力对GaN材料晶体质量的影响 | 第34-35页 |
| 3.3.4 生长应力对GaN材料残余应力的影响 | 第35-36页 |
| 3.4 HT-AlN缓冲层TMAl源流量对Si基GaN外延的影响 | 第36-42页 |
| 3.4.1 材料生长及实验方法 | 第36-38页 |
| 3.4.2 TMAl源流量对GaN材料晶体质量的影响 | 第38-39页 |
| 3.4.3 TMAl源流量对GaN材料表面形貌的影响 | 第39-40页 |
| 3.4.4 TMAl源流量对GaN材料残余应力的影响 | 第40-41页 |
| 3.4.5 TMAl源流量对GaN材料光学特性的影响 | 第41-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-44页 |
| 第4章 Si基AlGaN/GaN HEMT结构外延及器件制备 | 第44-48页 |
| 4.1 AlGaN/GaN HEMT结构外延与器件制备 | 第44-45页 |
| 4.2 AlGaN/GaN HEMT结构的材料特性 | 第45页 |
| 4.3 AlGaN/GaN HEMT器件的电学特性 | 第45-46页 |
| 4.4 本章小结 | 第46-48页 |
| 结论 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-56页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
