| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 光电探测器 | 第9-12页 |
| 1.2.1 光电探测器的分类及原理 | 第9-10页 |
| 1.2.2 光电探测器的应用 | 第10-11页 |
| 1.2.3 半导体材料在紫外光电探测的应用 | 第11-12页 |
| 1.3 Ga_2O_3材料在光电探测器中的应用 | 第12-14页 |
| 1.4 石墨烯(Graphene)材料在光电探测器中的应用 | 第14-15页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 | 第15-17页 |
| 参考文献 | 第17-19页 |
| 第二章 样品的实验方法、表征手段及装置介绍 | 第19-29页 |
| 2.1 引言 | 第19页 |
| 2.2 石墨烯材料的制备技术 | 第19-20页 |
| 2.3 Ga_2O_3材料的制备技术 | 第20-22页 |
| 2.4 薄膜的表征技术手段 | 第22-24页 |
| 2.4.1 拉曼光谱(Raman) | 第22页 |
| 2.4.2 光学显微镜(OM) | 第22页 |
| 2.4.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第22-23页 |
| 2.4.4 X射线衍射(XRD) | 第23-24页 |
| 2.4.5 紫外可见吸收谱(UV-Vis Spectra) | 第24页 |
| 2.5 石墨烯/Ga_2O_3基的日盲紫外光电探测器 | 第24-27页 |
| 2.5.1 器件的结构与原理 | 第25页 |
| 2.5.2 光电探测器的主要性能测试参数 | 第25-27页 |
| 2.5.3 器件测试装置与方法 | 第27页 |
| 2.6 本章小结 | 第27-28页 |
| 参考文献 | 第28-29页 |
| 第三章 β-Ga_2O_3薄膜与石墨烯薄膜的制备与表征 | 第29-39页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 石墨烯的转移与表征 | 第29-30页 |
| 3.3 石墨烯的表征 | 第30-33页 |
| 3.3.1 光学显微镜(OM) | 第30-31页 |
| 3.3.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第31-32页 |
| 3.3.3 拉曼光谱(Raman) | 第32-33页 |
| 3.3.4 电学性质 | 第33页 |
| 3.4 激光分子束外延(L-MBE)法制备β-Ga_2O_3薄膜实验参数的探究 | 第33-34页 |
| 3.5 探究在转移至衬底上的石墨烯上制备β-Ga_2O_3薄膜的最佳实验参数 | 第34-37页 |
| 3.6 本章小结 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-39页 |
| 第四章 β-Ga_2O_3/石墨烯复合结构日盲紫外探测器的制备及性能研究 | 第39-51页 |
| 4.1 引言 | 第39页 |
| 4.2 蓝宝石衬底上β-Ga_2O_3/石墨烯异质结薄膜的制备及其结构表征 | 第39-42页 |
| 4.3 β-Ga_2O_3/石墨烯复合结构日盲紫外探测器性能测试 | 第42-46页 |
| 4.4 β-Ga_2O_3/石墨烯复合结构日盲紫外探测器机制分析 | 第46-48页 |
| 4.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 第五章 总结 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第53页 |
