| 中文摘要 | 第1-8页 |
| 英文摘要 | 第8-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-15页 |
| ·研究背景和现状 | 第13-14页 |
| ·我们的工作 | 第14-15页 |
| 第二章 硅薄膜的分类、氢化纳米硅薄膜的制备与表征 | 第15-37页 |
| ·常见硅基薄膜的类型 | 第15-17页 |
| ·单晶硅(c-Si) | 第15页 |
| ·非晶硅(a-Si) | 第15-16页 |
| ·氢化纳米硅(nc-Si:H) | 第16-17页 |
| ·多孔硅及其它单晶-非晶混相硅基材料 | 第17页 |
| ·氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜的生长机制 | 第17-19页 |
| ·纳米硅(nc-Si)薄膜的制备方法 | 第19-27页 |
| ·物理沉积方法 | 第19-23页 |
| ·化学沉积方法 | 第23-27页 |
| ·纳米硅薄膜表征分析手段 | 第27-34页 |
| ·透射电镜(TEM)及高分辨透射电镜(HRTEM) | 第28页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第28-29页 |
| ·X 射线衍射谱(XRD) | 第29-31页 |
| ·红外(IR)吸收谱和透射谱 | 第31-32页 |
| ·拉曼散射(Raman)光谱分析 | 第32-33页 |
| ·光致发光(PL)谱分析 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-37页 |
| 第三章 拉曼光谱理论基础 | 第37-59页 |
| ·晶格振动光谱学的理论基础 | 第38-44页 |
| ·一维单原子链的振动 | 第38-40页 |
| ·一维双原子链的振动 | 第40-42页 |
| ·声子 | 第42-44页 |
| ·晶格振动的拉曼光谱学 | 第44-48页 |
| ·拉曼散射的选择定则 | 第48-49页 |
| ·氢化纳米硅的拉曼光谱研究 | 第49-52页 |
| ·拉曼光谱技术的分类 | 第49-50页 |
| ·纳米硅结构实验用拉曼光谱仪 | 第50-52页 |
| ·样品的制备和实验条件 | 第52页 |
| ·氢化纳米硅三维声子限制模型 | 第52-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 第四章 氢化纳米硅变功率拉曼光谱研究 | 第59-71页 |
| ·纳米硅薄膜常温变激光功率的拉曼光谱 | 第59-62页 |
| ·半导体变温拉曼光谱理论模型 | 第62-63页 |
| ·实验结果分析 | 第63-69页 |
| ·氢化纳米硅拉曼频移-温度规律 | 第63-67页 |
| ·氢化纳米硅拉曼线宽、寿命-温度规律 | 第67-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-71页 |
| 第五章 总结 | 第71-72页 |
| 附录1 | 第72-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 攻读硕士学位期间已发表的论文 | 第76页 |