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高速SDRAM芯片测试技术研究

摘要第4-5页
ABSTRACT第5-6页
目录第7-9页
CONTENT第9-11页
第一章 绪论第11-19页
    1.1. 课题的研究背景第11-12页
    1.2. 存储器的发展第12-15页
        1.2.1. 存储器的分类第12-14页
        1.2.2. SDRAM存储器的发展第14-15页
    1.3. 集成电路测试第15-17页
        1.3.1. 集成电路测试概述第15-16页
        1.3.2. 集成电路测试发展状况第16-17页
    1.4. 课题研究工作第17-18页
    1.5. 论文结构第18-19页
第二章 SDRAM的结构与特性第19-33页
    2.1. SDRAM的工作原理与结构第19-22页
        2.1.1. SDRAM的工作原理第19-21页
        2.1.2. SDRAM引脚定义与功能结构第21-22页
    2.2. SDRAM的主要命令第22-24页
    2.3. SDRAM的主要操作及时序第24-31页
        2.3.1. SDRAM初始化操作第24-28页
        2.3.2. SDRAM预充电操作第28-29页
        2.3.3. SDRAM激活操作第29页
        2.3.4. SDRAM读操作第29-30页
        2.3.5. SDRAM写操作第30-31页
        2.3.6. SDRAM刷新操作第31页
    2.4. SDRAM的主要时序参数第31-32页
    2.5. 本章小结第32-33页
第三章 SDRAM的功能验证设计第33-48页
    3.1. 基于SOPC的SDRAM控制器的设计第33-40页
        3.1.1. SOPC与Avalon总线的介绍第33-35页
        3.1.2. SDRAM控制器的整体架构第35-40页
    3.2. 基于NIOS Ⅱ处理器的测试设计第40-46页
        3.2.1. Nios Ⅱ IDE开发环境的介绍第40页
        3.2.2. SDRAM测试程序设计第40-46页
    3.3. FPGA综合与验证结果第46-47页
    3.4. 本章小结第47-48页
第四章 SDRAM的电特性测试设计第48-79页
    4.1. TERADYNE J750与TERADYNE IG-XL简介第48-51页
        4.1.1. Teradyne J750第48-50页
        4.1.2. Teradyne IG-XL第50-51页
    4.2. SDRAM电特性测试第51-78页
        4.2.1. 基于PMU的开短路测试第51-54页
        4.2.2. DC参数测试第54-76页
        4.2.3. 标准功能测试第76-78页
    4.3. 本章小结第78-79页
总结与展望第79-81页
参考文献第81-83页
硕士期间发表的学术论文第83-85页
致谢第85-86页
附录第86-94页

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