| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-12页 |
| 1.3 本课题的主要研究内容 | 第12-14页 |
| 第2章 混合直流断路器IGBT应力分析 | 第14-24页 |
| 2.1 混合直流断路器工作原理 | 第14-17页 |
| 2.2 基于PSCAD的直流断路器仿真 | 第17-21页 |
| 2.2.1 仿真模型 | 第17-18页 |
| 2.2.2 仿真结果分析 | 第18-21页 |
| 2.3 IGBT饱和电流模型 | 第21-23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 IGBT关断失效分析 | 第24-33页 |
| 3.1 IGBT模块关断能力研究 | 第24页 |
| 3.2 IGBT关断失效分析 | 第24-30页 |
| 3.2.1 功率限制失效分析 | 第25页 |
| 3.2.2 能量限制失效分析 | 第25-26页 |
| 3.2.3 非均匀开关失效分析 | 第26-28页 |
| 3.2.4 延迟失效分析 | 第28-30页 |
| 3.3 IGBT芯片关断测试 | 第30-32页 |
| 3.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第4章 IGBT芯片温升仿真研究 | 第33-41页 |
| 4.1 仿真软件介绍 | 第33页 |
| 4.2 仿真模型 | 第33-36页 |
| 4.2.1 IGBT芯片结构模型 | 第33-35页 |
| 4.2.2 仿真中热源设置 | 第35-36页 |
| 4.3 仿真结果 | 第36-37页 |
| 4.4 仿真结果分析 | 第37-40页 |
| 4.4.1 对比NPT型IGBT不同正面金属铝厚度对芯片温度影响 | 第37-39页 |
| 4.4.2 对比NPT与SPT型IGBT芯片温升 | 第39-40页 |
| 4.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 第5章 IGBT封装热容对芯片温升影响仿真研究 | 第41-51页 |
| 5.1 IGBT封装结构介绍 | 第41-42页 |
| 5.2 仿真结果 | 第42-43页 |
| 5.3 仿真结果分析 | 第43-50页 |
| 5.3.1 对比NPT型IGBT单片、焊接封装、压接封装芯片温升 | 第43-46页 |
| 5.3.2 对比SPT型IGBT单片、焊接封装、压接封装芯片温升 | 第46-47页 |
| 5.3.3 对比NPT与SPT型IGBT芯片在焊接封装芯片温升 | 第47-48页 |
| 5.3.4 对比NPT与SPT型IGBT芯片在压接封装芯片温升 | 第48-50页 |
| 5.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第6章 总结与展望 | 第51-53页 |
| 6.1 工作总结 | 第51-52页 |
| 6.2 未来工作展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
