| 中文摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 综述 | 第10-35页 |
| 1.1 自旋电子学 | 第10-11页 |
| 1.1.1 隧穿磁电阻 | 第10-11页 |
| 1.1.2 自旋注入 | 第11页 |
| 1.2 高自旋极化率材料 | 第11-12页 |
| 1.3 γ′?Fe_4N的研究进展 | 第12-16页 |
| 1.3.1 Fe_4N基隧道结的研究现状 | 第13页 |
| 1.3.2 Fe_4N基态电子结构的理论研究 | 第13-16页 |
| 1.3.3 Fe_4N的表面电子结构研究 | 第16页 |
| 1.4 磁性隧道结中的绝缘势垒层材料 | 第16-27页 |
| 1.4.1 MgO的研究进展 | 第17-19页 |
| 1.4.2 BaTiO_3的研究进展 | 第19-22页 |
| 1.4.3 BiFeO_3的研究进展 | 第22-25页 |
| 1.4.4 La_(2/3)Sr_(1/3)MnO_3/BiFeO_3界面的研究进展 | 第25-27页 |
| 1.5 自旋注入材料 | 第27-34页 |
| 1.5.1 Si的研究进展 | 第27-29页 |
| 1.5.2 Graphene的研究进展 | 第29-31页 |
| 1.5.3 单层MoS_2的研究进展 | 第31-34页 |
| 1.6 本论文的工作 | 第34-35页 |
| 第二章 计算理论基础与软件介绍 | 第35-44页 |
| 2.1 绝热近似 | 第35-37页 |
| 2.2 Hartree?Fock近似 | 第37-38页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第38-40页 |
| 2.3.1 Hohenberg?Kohn定理 | 第38页 |
| 2.3.2 Kohn?Sham方程 | 第38-39页 |
| 2.3.3 交换关联泛函 | 第39-40页 |
| 2.3.4 赝势方法 | 第40页 |
| 2.4 计算程序简介 | 第40-44页 |
| 2.4.1 VASP计算软件 | 第40-41页 |
| 2.4.2 VASP计算流程 | 第41-44页 |
| 第三章 Fe_4N/Oxides界面及La_(2 / 3)Sr_(1 /3)MnO_3/T-BiFeO_3超晶格 | 第44-72页 |
| 3.1 Fe_4N/Oxiedes(MgO、BaTiO_3、BiFeO_3)界面的理论计算 | 第44-57页 |
| 3.1.1 计算模型和方法 | 第44-47页 |
| 3.1.2 Fe_4N/MgO界面的电子结构和磁性 | 第47-50页 |
| 3.1.3 Fe_4N/Ba TiO_3界面的电子结构和磁性 | 第50-54页 |
| 3.1.4 Fe_4N/Bi FeO_3界面的电子结构和磁性 | 第54-57页 |
| 3.2 La_(2/3)Sr_(1/3)MnO_3/T-Bi FeO_3超晶格的理论计算 | 第57-70页 |
| 3.2.1 计算模型和方法 | 第58-59页 |
| 3.2.2 超晶格中最稳定体系的电子结构和磁性 | 第59-62页 |
| 3.2.3 超晶格的界面交换偏置研究 | 第62-70页 |
| 3.3 本章小结 | 第70-72页 |
| 第四章 Fe_4N/Si(Graphene、MoS_2)界面和团簇掺杂MoS_2 | 第72-94页 |
| 4.1 Fe_4N/Si和Fe_4N/Graphene双层的理论计算 | 第72-79页 |
| 4.1.1 计算模型和方法 | 第73-74页 |
| 4.1.2 双层的电子结构和磁性 | 第74-79页 |
| 4.2 Fe_4N/MoS_2超晶格的理论计算 | 第79-87页 |
| 4.2.1 计算模型和方法 | 第79-80页 |
| 4.2.2 Fe~ⅠFe~(Ⅱ)?S界面的电子结构和磁性 | 第80-85页 |
| 4.2.3 N?S界面的电子结构和磁性 | 第85-87页 |
| 4.3 Fe?X_6(X=S、C、N、O和F)团簇掺杂MoS_2的理论计算 | 第87-92页 |
| 4.3.1 计算模型和方法 | 第88-89页 |
| 4.3.2 团簇掺杂MoS_2的电子结构和磁性 | 第89-92页 |
| 4.4 本章小结 | 第92-94页 |
| 第五章 总结 | 第94-96页 |
| 参考文献 | 第96-105页 |
| 攻读硕士学位期间完成的学术论文 | 第105-107页 |
| 致谢 | 第107-108页 |
