| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 课题的研究背景与意义 | 第8-9页 |
| 1.2 提高LED光提取率的方法与进展 | 第9-13页 |
| 1.2.1 半导体表面粗化 | 第9-10页 |
| 1.2.2 光子晶体 | 第10-11页 |
| 1.2.3 透明衬底 | 第11-12页 |
| 1.2.4 光学薄膜 | 第12-13页 |
| 1.2.5 表面等离子体 | 第13页 |
| 1.3 本课题的内容和创新点 | 第13-15页 |
| 1.3.1 本课题的研究内容 | 第13-14页 |
| 1.3.2 本课题的研究创新点 | 第14-15页 |
| 第二章 发光二极管与表面等离子体的相关理论 | 第15-24页 |
| 2.1 发光二极管的基本理论 | 第15-17页 |
| 2.1.1 LED的发光原理 | 第15页 |
| 2.1.2 LED的基本结构与分类 | 第15-16页 |
| 2.1.3 LED的性能分析 | 第16-17页 |
| 2.2 表面等离子体概述 | 第17-22页 |
| 2.2.1 表面等离激元简介 | 第17-18页 |
| 2.2.2 表面等离激元性质 | 第18-20页 |
| 2.2.3 局域表面等离激元性质 | 第20-21页 |
| 2.2.4 影响LSP的共振能量的因素 | 第21-22页 |
| 2.3 表面等离子体增强LED光提取率的原理 | 第22-23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 LED外延生长和微纳结构制备技术及相关表征方法 | 第24-29页 |
| 3.1 金属有机化学气相沉积（MOCVD） | 第24页 |
| 3.2 微纳加工技术 | 第24-26页 |
| 3.2.1 电感耦合等离子体（ICP）刻蚀原理 | 第24-25页 |
| 3.2.2 磁控溅射镀膜 | 第25-26页 |
| 3.2.3 电子束蒸发(EBE) | 第26页 |
| 3.3 表征方法 | 第26-29页 |
| 3.3.1 扫描电子显微镜（SEM） | 第26页 |
| 3.3.2 原子力显微镜（AFM） | 第26-27页 |
| 3.3.3 光致发光（PL） | 第27-29页 |
| 第四章 局域表面等离激元增强GaN基紫外LED发光效率的数值模拟 | 第29-38页 |
| 4.1 时域有限差分法（FDTD）原理 | 第29-31页 |
| 4.2 紫外LED物理模型的构建 | 第31-33页 |
| 4.3 局域表面等离子体增强GaN基紫外LED发光 | 第33-36页 |
| 4.4 本章小结 | 第36-38页 |
| 第五章 表面等离子体增强GaN基近紫外LED外延片发光 | 第38-46页 |
| 5.1 样品制备 | 第38-42页 |
| 5.1.1 原位样品的制备 | 第38-39页 |
| 5.1.2 银纳米薄膜LED外延片的制备与形貌表征 | 第39页 |
| 5.1.3 银纳米颗粒LED外延片的制备与形貌表征 | 第39-42页 |
| 5.2 银纳米薄膜/颗粒LED外延片的PL光谱测试分析 | 第42-45页 |
| 5.2.1 银纳米薄膜LED外延片的PL光谱测试分析 | 第42页 |
| 5.2.2 银纳米颗粒LED外延片的PL光谱测试分析 | 第42-44页 |
| 5.2.3 银纳米薄膜LED外延片与银纳米颗粒LED的PL光谱测试分析对比 | 第44-45页 |
| 5.3 本章小结 | 第45-46页 |
| 第六章 总结与展望 | 第46-48页 |
| 6.1 总结 | 第46-47页 |
| 6.2 展望 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-54页 |
| 附录: 作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第54页 |
