基于TSV的NoC高性能互连结构设计
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·研究背景 | 第7-11页 |
| ·三维片上网络简介及其发展背景 | 第7-9页 |
| ·基于硅通孔的三维集成技术 | 第9-11页 |
| ·国内外研究现状 | 第11-13页 |
| ·论文主要内容和章节安排 | 第13-15页 |
| 第二章 硅通孔工艺及应用 | 第15-25页 |
| ·硅通孔工艺流程 | 第15-17页 |
| ·硅通孔关键技术难题 | 第17-20页 |
| ·铜的电镀 | 第18-19页 |
| ·TSV 减薄工艺 | 第19页 |
| ·刻蚀技术 | 第19-20页 |
| ·TSV 在 3D NOC 中的应用 | 第20-23页 |
| ·3D NoC 中的 TSV 分类 | 第20-22页 |
| ·3D NoC 中垂直互连结构的优化设计 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-25页 |
| 第三章 3D NoC 技术研究 | 第25-35页 |
| ·3D NOC 拓扑结构 | 第25-28页 |
| ·3D Mesh | 第26-27页 |
| ·3D Torus 结构 | 第27-28页 |
| ·其他拓扑结构 | 第28页 |
| ·3D NOC 路由节点设计 | 第28-30页 |
| ·3D NOC 性能评价 | 第30-33页 |
| ·零负载延迟 | 第30-31页 |
| ·吞吐量 | 第31-32页 |
| ·面积和功耗 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-35页 |
| 第四章 TSV 传输特性和电学模型 | 第35-49页 |
| ·HFSS 仿真环境 | 第35-37页 |
| ·TSV 传输特性分析 | 第37-42页 |
| ·填充导体 | 第38-39页 |
| ·衬底掺杂 | 第39页 |
| ·直径 | 第39-40页 |
| ·高度 | 第40-41页 |
| ·氧化层厚度 | 第41-42页 |
| ·TSV 电学模型 | 第42-47页 |
| ·TSV 电阻 | 第43-44页 |
| ·TSV 电容 | 第44-45页 |
| ·TSV 电感 | 第45-46页 |
| ·TSV 等效电路 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第五章 基于 TSV 的低摆幅电路设计 | 第49-59页 |
| ·基于 TSV 的低摆幅技术 | 第49-51页 |
| ·单端电路与仿真 | 第51-54页 |
| ·SSDLC_1 电路 | 第51-53页 |
| ·SSDLC_2 电路 | 第53-54页 |
| ·双端电路与仿真 | 第54-57页 |
| ·DIFF 电路 | 第54-55页 |
| ·MCML 电路 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 第六章 总结与展望 | 第59-61页 |
| ·论文总结 | 第59-60页 |
| ·工作展望 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
