GaSb表面改性及光电性质研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·半导体材料及GaSb的发展现状 | 第8-10页 |
| ·半导体材料的表面态 | 第10-12页 |
| ·表面态和复合中心 | 第10-11页 |
| ·表面态对半导体器件的影响 | 第11-12页 |
| ·本论文的研究内容 | 第12-13页 |
| 第二章 GaSb材料性质及表面态 | 第13-22页 |
| ·GaSb的材料性质 | 第13-14页 |
| ·表面钝化的发展 | 第14-21页 |
| 本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 半导体材料测试及分析技术 | 第22-29页 |
| ·原子力显微镜 | 第22页 |
| ·X射线光电子能谱分析 | 第22页 |
| ·半导体光谱测试技术概述 | 第22-23页 |
| ·光致发光概述 | 第23-26页 |
| ·光致发光光谱 | 第23-24页 |
| ·半导体中辐射复合跃迁 | 第24-26页 |
| ·PL9000傅里叶变换光谱工作原理 | 第26-27页 |
| ·GaSb材料中常见的发光峰位 | 第27-28页 |
| 本章小结 | 第28-29页 |
| 第四章 GaSb钝化实验及结果分析 | 第29-51页 |
| ·GaSb的钝化方法以及钝化溶液的选择 | 第29页 |
| ·实验步骤 | 第29-30页 |
| ·仪器介绍 | 第30-32页 |
| ·实验结果及分析 | 第32-50页 |
| ·GaSb表面钝化原理 | 第32页 |
| ·P型GaSb钝化结果及分析 | 第32-42页 |
| ·N型GaSb钝化结果及分析 | 第42-50页 |
| 本章小结 | 第50-51页 |
| 结论与展望 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 发表论文 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
