中文摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-12页 |
第一章 绪论 | 第12-23页 |
第一节 研究背景及意义 | 第12-21页 |
·太阳能光伏产业的发展 | 第12页 |
·太阳能光伏产业现状 | 第12-13页 |
·太阳电池研究现状 | 第13-14页 |
·非晶硅材料及太阳电池 | 第14-18页 |
·超薄非晶硅太阳电池的研究方向 | 第18-21页 |
第二节 本论文的目标及组织结构 | 第21-23页 |
第二章 ZnO:B和硅基薄膜材料的生长设备、薄膜沉积原理及特性表征手段 | 第23-45页 |
第一节 MOCVD工艺制备ZnO:B薄膜 | 第23-25页 |
第二节 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺制备硅基薄膜材料 | 第25-30页 |
·PECVD系统介绍 | 第25-26页 |
·硅基薄膜材料生长原理 | 第26-30页 |
第三节 pin型非晶硅太阳电池的制备 | 第30-32页 |
第四节 材料及电池表征 | 第32-44页 |
·材料表征 | 第32-41页 |
·电池表征 | 第41-44页 |
第五节 本章小结 | 第44-45页 |
第三章 H_2/CH_4混合气等离子体用于修饰MOCVD-ZnO:B前电极表面形貌 | 第45-89页 |
第一节 MOCVD-ZnO:B高绒度表面形貌对太阳电池性能的影响 | 第45-51页 |
第二节 氩气等离子体(Ar Plasma)修饰MOCVD-ZnO:B表面形貌 | 第51-56页 |
第三节 H_2/CH_4混合气等离子体用于修饰MOCVD-ZnO:B表面形貌 | 第56-77页 |
·H_2/CH_4等离子体刻蚀对BZO薄膜表面形貌和结构特性的影响 | 第56-61页 |
·H_2/CH_4等离子体刻蚀对BZO薄膜光学特性的影响 | 第61-68页 |
·H_2/CH_4等离子体刻蚀对BZO薄膜电学特性的影响 | 第68-77页 |
第四节 H_2/CH_4等离子体刻蚀参数变化对BZO特性影响 | 第77-85页 |
·H_2/CH_4等离子体刻蚀辉光功率变化对BZO表面形貌的影响 | 第77-81页 |
·H_2/CH_4等离子体刻蚀H_2/CH_4比变化对BZO表面形貌的影响 | 第81-85页 |
第五节 H_2/CH_4等离子体刻蚀BZO薄膜用作超薄非晶硅太阳电池的前电极 | 第85-87页 |
第六节 本章小结 | 第87-89页 |
第四章 界面特性对非晶硅太阳电池V_(oc)和FF的影响 | 第89-123页 |
第一节 不同界面层对pin型非晶硅太阳电池性能影响的模拟研究 | 第89-94页 |
第二节 TCO/p界面接触势垒的改善 | 第94-114页 |
·方案1:TCO/p界面插入高电导p型微晶硅 | 第98-106页 |
·方案2:TCO界面势垒反转(TCO上面沉积高电导n型微晶硅) | 第106-110页 |
·方案3:TCO/p界面插入高电阻p型非晶硅 | 第110-113页 |
·方案1、2、3对比讨论 | 第113-114页 |
第三节 p/i界面接触特性 | 第114-121页 |
·p/i界面对电池V_(oc)和FF的模拟研究 | 第114-117页 |
·p/i界面接触特性的改善 | 第117-121页 |
第四节 本章小结 | 第121-123页 |
第五章 微晶硅氧掺杂层用于改善超薄非晶硅太阳电池V_(oc)和FF | 第123-155页 |
第一节 p型、n型微晶硅氧掺杂层材料 | 第123-139页 |
·工艺参数变化对微晶硅氧掺杂层材料特性的影响 | 第123-133页 |
·微晶硅氧掺杂层材料中氧键合过程 | 第133-134页 |
·微晶硅氧掺杂层材料共面电导与纵向电导 | 第134-137页 |
·p型微晶硅氧掺杂层材料能带结构 | 第137-139页 |
第二节 微晶硅氧掺杂层材料用于改善超薄非晶硅太阳电池 | 第139-153页 |
·微晶硅氧掺杂层电池对高绒度衬底的容忍度 | 第139-141页 |
·微晶硅氧掺杂层对非晶硅太阳电池漏电的淬灭过程 | 第141-143页 |
·微晶硅氧掺杂层非晶硅太阳电池的优化 | 第143-148页 |
·宽带隙p型微晶硅氧材料与开路电压V_(oc)和的关系 | 第148-153页 |
第三节 本章小结 | 第153-155页 |
第六章 总结与展望 | 第155-161页 |
参考文献 | 第161-172页 |
致谢 | 第172-173页 |
个人简历 | 第173页 |
在学期间发表的学术论文及研究成果 | 第173页 |