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基于MOCVD-ZnO:B前电极的pin型超薄非晶硅太阳电池的初步研究

中文摘要第1-7页
Abstract第7-12页
第一章 绪论第12-23页
 第一节 研究背景及意义第12-21页
     ·太阳能光伏产业的发展第12页
     ·太阳能光伏产业现状第12-13页
     ·太阳电池研究现状第13-14页
     ·非晶硅材料及太阳电池第14-18页
     ·超薄非晶硅太阳电池的研究方向第18-21页
 第二节 本论文的目标及组织结构第21-23页
第二章 ZnO:B和硅基薄膜材料的生长设备、薄膜沉积原理及特性表征手段第23-45页
 第一节 MOCVD工艺制备ZnO:B薄膜第23-25页
 第二节 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺制备硅基薄膜材料第25-30页
     ·PECVD系统介绍第25-26页
     ·硅基薄膜材料生长原理第26-30页
 第三节 pin型非晶硅太阳电池的制备第30-32页
 第四节 材料及电池表征第32-44页
     ·材料表征第32-41页
     ·电池表征第41-44页
 第五节 本章小结第44-45页
第三章 H_2/CH_4混合气等离子体用于修饰MOCVD-ZnO:B前电极表面形貌第45-89页
 第一节 MOCVD-ZnO:B高绒度表面形貌对太阳电池性能的影响第45-51页
 第二节 氩气等离子体(Ar Plasma)修饰MOCVD-ZnO:B表面形貌第51-56页
 第三节 H_2/CH_4混合气等离子体用于修饰MOCVD-ZnO:B表面形貌第56-77页
     ·H_2/CH_4等离子体刻蚀对BZO薄膜表面形貌和结构特性的影响第56-61页
     ·H_2/CH_4等离子体刻蚀对BZO薄膜光学特性的影响第61-68页
     ·H_2/CH_4等离子体刻蚀对BZO薄膜电学特性的影响第68-77页
 第四节 H_2/CH_4等离子体刻蚀参数变化对BZO特性影响第77-85页
     ·H_2/CH_4等离子体刻蚀辉光功率变化对BZO表面形貌的影响第77-81页
     ·H_2/CH_4等离子体刻蚀H_2/CH_4比变化对BZO表面形貌的影响第81-85页
 第五节 H_2/CH_4等离子体刻蚀BZO薄膜用作超薄非晶硅太阳电池的前电极第85-87页
 第六节 本章小结第87-89页
第四章 界面特性对非晶硅太阳电池V_(oc)和FF的影响第89-123页
 第一节 不同界面层对pin型非晶硅太阳电池性能影响的模拟研究第89-94页
 第二节 TCO/p界面接触势垒的改善第94-114页
     ·方案1:TCO/p界面插入高电导p型微晶硅第98-106页
     ·方案2:TCO界面势垒反转(TCO上面沉积高电导n型微晶硅)第106-110页
     ·方案3:TCO/p界面插入高电阻p型非晶硅第110-113页
     ·方案1、2、3对比讨论第113-114页
 第三节 p/i界面接触特性第114-121页
     ·p/i界面对电池V_(oc)和FF的模拟研究第114-117页
     ·p/i界面接触特性的改善第117-121页
 第四节 本章小结第121-123页
第五章 微晶硅氧掺杂层用于改善超薄非晶硅太阳电池V_(oc)和FF第123-155页
 第一节 p型、n型微晶硅氧掺杂层材料第123-139页
     ·工艺参数变化对微晶硅氧掺杂层材料特性的影响第123-133页
     ·微晶硅氧掺杂层材料中氧键合过程第133-134页
     ·微晶硅氧掺杂层材料共面电导与纵向电导第134-137页
     ·p型微晶硅氧掺杂层材料能带结构第137-139页
 第二节 微晶硅氧掺杂层材料用于改善超薄非晶硅太阳电池第139-153页
     ·微晶硅氧掺杂层电池对高绒度衬底的容忍度第139-141页
     ·微晶硅氧掺杂层对非晶硅太阳电池漏电的淬灭过程第141-143页
     ·微晶硅氧掺杂层非晶硅太阳电池的优化第143-148页
     ·宽带隙p型微晶硅氧材料与开路电压V_(oc)和的关系第148-153页
 第三节 本章小结第153-155页
第六章 总结与展望第155-161页
参考文献第161-172页
致谢第172-173页
个人简历第173页
在学期间发表的学术论文及研究成果第173页

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