| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·硅基纳米材料的研究意义 | 第9-11页 |
| ·国内外研究现状 | 第11-15页 |
| ·纳米晶粒的制备 | 第12-13页 |
| ·激光烧蚀动力学过程 | 第13-15页 |
| ·本文的主要研究内容及意义 | 第15-17页 |
| 第二章 样品制备及测试方法 | 第17-33页 |
| ·PLD 原理及样品制备 | 第17-24页 |
| ·脉冲激光烧蚀方法及原理 | 第17-19页 |
| ·PLD 实验装置 | 第19-21页 |
| ·基片的清洗 | 第21-23页 |
| ·样品的制备过程 | 第23-24页 |
| ·纳米晶粒的表征手段 | 第24-33页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第24-27页 |
| ·纳米粒子的 XRD 表征 | 第27-28页 |
| ·Raman 衍射仪 | 第28-30页 |
| ·数字荧光示波器 | 第30-33页 |
| 第三章 Ar 环境气压下纳米 Si 晶粒成核区研究 | 第33-53页 |
| ·实验方法 | 第33-34页 |
| ·Ar 环境气压 1 Pa 下成核区 | 第34-36页 |
| ·Ar 环境气压 5 Pa 下成核区 | 第36-39页 |
| ·Ar 环境气压 10 Pa 下成核区 | 第39-41页 |
| ·Ar 环境气压 50 Pa 下成核区 | 第41-44页 |
| ·Ar 环境气压 100 Pa 下成核区 | 第44-46页 |
| ·Ar 环境气压 200 Pa 下成核区 | 第46-48页 |
| ·实验结果分析 | 第48-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 挡板技术对纳米晶粒成核区位置的影响 | 第53-75页 |
| ·挡板技术的基本原理 | 第53-55页 |
| ·挡板技术原理 | 第53-54页 |
| ·Si 粒子在成核区中的运动模型 | 第54-55页 |
| ·实验方法 | 第55-56页 |
| ·不加挡板时成核区 | 第56-59页 |
| ·加 1 cm 挡板时成核区 | 第59-63页 |
| ·加 2 cm 挡板时成核区 | 第63-67页 |
| ·加 3 cm 挡板时成核区 | 第67-70页 |
| ·实验结果比较 | 第70-73页 |
| ·本章小结 | 第73-75页 |
| 第五章 孔径尺寸对激光烧蚀纳米硅晶粒产量分布的影响 | 第75-81页 |
| ·研究孔径尺寸影响的实验方法 | 第75-76页 |
| ·实验结果 | 第76-80页 |
| ·本章小结 | 第80-81页 |
| 第六章 氩气环境下烧蚀粒子的电流响应研究 | 第81-105页 |
| ·电流响应研究的实验原理及方法 | 第81-85页 |
| ·实验装置 | 第81-82页 |
| ·典型气压下的电流响应 | 第82-84页 |
| ·烧蚀粒子的传输模型 | 第84-85页 |
| ·电场下烧蚀粒子的电流响应研究 | 第85-89页 |
| ·加正电压 | 第85-87页 |
| ·加负电压 | 第87-89页 |
| ·低气压下烧蚀粒子的速度劈裂实验研究 | 第89-92页 |
| ·气压对烧蚀粒子电流响应的影响 | 第92-96页 |
| ·不同气压下烧蚀粒子阻尼系数研究 | 第96-104页 |
| ·烧蚀粒子阻尼系数研究的实验装置 | 第96-97页 |
| ·烧蚀粒子阻尼系数研究的实验方法 | 第97页 |
| ·计算的理论依据 | 第97-98页 |
| ·实验结果与分析 | 第98-104页 |
| ·烧蚀粒子速度计算 | 第98-102页 |
| ·烧蚀粒子阻尼系数计算 | 第102-104页 |
| ·本章小结 | 第104-105页 |
| 第七章 结论 | 第105-107页 |
| 参考文献 | 第107-113页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第113-115页 |
| 致谢 | 第115页 |