| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-29页 |
| ·垂直腔面发射半导体激光器结构及应用 | 第13-21页 |
| ·芯片级原子钟用高温工作垂直腔面发射半导体激光器 | 第21-26页 |
| ·VCSEL 在芯片级原子钟上的应用 | 第21-24页 |
| ·芯片级原子钟用 VCSEL 国内外发展现状 | 第24-26页 |
| ·本论文的主要工作 | 第26-29页 |
| ·论文工作的主要内容 | 第26页 |
| ·论文的结构安排 | 第26-29页 |
| 第2章 VCSEL 结构设计基本理论 | 第29-55页 |
| ·VCSEL 结构及基本参数设计 | 第29-41页 |
| ·VCSEL 的器件结构描述 | 第29-32页 |
| ·VCSEL 基本性能参数设计 | 第32-41页 |
| ·DBR 反射镜的结构设计与优化 | 第41-50页 |
| ·DBR 光学特性设计—传输矩阵理论 | 第41-47页 |
| ·DBR 的串联电阻分析 | 第47-50页 |
| ·VCSEL 谐振特性分析 | 第50-52页 |
| ·光场限制因子分析 | 第50-51页 |
| ·模式特性分析 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-55页 |
| 第3章 垂直腔面发射半导体激光器热特性研究 | 第55-81页 |
| ·基于载流子注入产热机制的半导体激光器热模型 | 第55-60页 |
| ·VCSEL 的焦耳热分析 | 第55-57页 |
| ·载流子注入产热 | 第57-59页 |
| ·Comsol 电热耦合计算模型 | 第59-60页 |
| ·基于载流子注入产热机制的半导体激光器内部热分析 | 第60-74页 |
| ·边发射半导体激光器内部产热模拟 | 第60-69页 |
| ·垂直腔面发射半导体激光器内部产热模拟 | 第69-74页 |
| ·VCSEL 台面工艺结构优化 | 第74-80页 |
| ·自平坦化台面结构 VCSEL 器件 | 第74-76页 |
| ·不同台面结构 VCSEL 器件热特性理论对比 | 第76-78页 |
| ·不同台面结构 VCSEL 器件实验结果对比及分析 | 第78-80页 |
| ·本章小结 | 第80-81页 |
| 第4章 高温工作垂直腔面发射半导体激光器结构设计 | 第81-103页 |
| ·高温工作 VCSEL 有源区结构设计 | 第81-91页 |
| ·高温工作下有源区的载流子限制问题 | 第81-84页 |
| ·高温工作有源区量子阱结构设计 | 第84-91页 |
| ·高温工作 VCSEL 内部 DBR 反射镜理论设计 | 第91-97页 |
| ·DBR 反射镜反射特性分析及优化 | 第91-93页 |
| ·P 型 DBR 串联电阻分析优化 | 第93-97页 |
| ·增益-腔模失配型垂直腔面发射半导体激光器结构 | 第97-102页 |
| ·本章小结 | 第102-103页 |
| 第5章 高温工作垂直腔面发射半导体激光器工艺制备及测试 | 第103-129页 |
| ·VCSEL 工艺制备及关键技术 | 第103-111页 |
| ·VCSEL 台面掩膜制备—光刻技术 | 第104-106页 |
| ·台面结构制备—湿法刻蚀与干法刻蚀技术 | 第106-109页 |
| ·氧化孔径制备—湿法热氧化技术 | 第109-111页 |
| ·器件测试及分析 | 第111-121页 |
| ·VCSEL 测试方法简介 | 第112-113页 |
| ·器件测试结果 | 第113-121页 |
| ·微透镜集成 VCSEL 制备方案 | 第121-126页 |
| ·本章小结 | 第126-129页 |
| 第6章 总结与展望 | 第129-131页 |
| 参考文献 | 第131-143页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第143-145页 |
| 指导教师及作者简介 | 第145-147页 |
| 致谢 | 第147页 |
