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碳基半导体器件的高频特性

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-9页
一、绪论第9-17页
 1、碳基器件的分类及应用第9-14页
   ·金刚石器件第9-10页
   ·富勒烯器件第10页
   ·碳纳米管器件第10-11页
   ·石墨烯器件第11-12页
   ·碳基有机半导体器件第12页
   ·锗硅碳器件第12-13页
   ·碳化硅器件第13-14页
 2、碳基高频器件的应用分类第14-15页
   ·声表面波(SAW)滤波器第14页
   ·射频(RF)器件第14-15页
   ·谐振器第15页
 3、本文的主要研究方法及主要工作第15-17页
二、双层石墨烯高频场效应管双极性能的电压敏感性第17-29页
 1、引言第17-18页
 2、双层石墨烯高频场效应晶体管的建模第18-20页
   ·器件结构第18页
   ·沟道载流子的产生机制第18-19页
   ·双层石墨烯高频场效应管的工作原理第19-20页
 3、结果及分析第20-27页
   ·沟道载流子对栅电压和狄拉克点电压的依赖性第20-21页
   ·漏电流对狄拉克点电压的依赖性第21-23页
   ·转移曲线对狄拉克点电压及迁移率的依赖性第23-24页
   ·跨导对狄拉克点电压及迁移率的依赖性第24-25页
   ·双层石墨烯场效应管的频率响应第25-27页
 4、小结第27-29页
三、4H-SiC p~+-n-n~+高频二极管正向及反向恢复特性第29-59页
 1、引言第29-30页
 2、4H-SiC p~+-n-n~+二极管的模型设计及工作原理第30-42页
   ·4H-SiC p~+-n-n~+二极管的结构第30-31页
   ·4H-SiC p~+-n-n~+二极管正向少子分布第31-33页
   ·4H-SiC p~+-n-n~+二极管正向过程第33-35页
   ·4H-SiC p~+-n-n~+二极管的正向恢复过程第35-36页
   ·4H-SiC p-i-n 二极管的反向恢复过程第36-37页
   ·4H-SiC p~+-n-n~+二极管反向载流子分布第37-40页
   ·4H-SiC p~+-n-n~+二极管反向瞬变过程第40-42页
   ·4H-SiC p~+-n-n~+二极管的频率响应第42页
 3、4H-SiC p~+-n-n~+二极管的正向导通特性第42-47页
   ·极区少子寿命的对 4H-SiC p~+-n-n~+二极管正向性能的影响第43-44页
   ·基区宽度对 4H-SiC p~+-n-n~+二极管正向性能的影响第44页
   ·基区掺杂浓度对 4H-SiC p~+-n-n~+二极管正向性能的影响第44-45页
   ·阳极受主浓度对 4H-SiC p~+-n-n~+二极管正向性能的影响第45-46页
   ·阴极施主浓度对 4H-SiC p~+-n-n~+二极管正向性能的影响第46-47页
 4、4H-SiC p~+-n-n~+二极管的反向恢复特性第47-55页
   ·4H-SiC p~+-n-n~+二极管反向恢复时的基区少子分布第47-49页
   ·极区少子寿命的对 4H-SiC p~+-n-n~+二极管反向性能的影响第49-50页
   ·基区宽度对 4H-SiC p~+-n-n~+二极管反向性能的影响第50-51页
   ·基区掺杂浓度对 4H-SiC p~+-n-n~+二极管性能的影响第51-52页
   ·阳极受主浓度对 4H-SiC p~+-n-n~+二极管反向性能的影响第52-53页
   ·阴极施主浓度对 4H-SiC p~+-n-n~+二极管性能的影响第53-54页
   ·初始正向电流密度对 4H-SiC p~+-n-n~+二极管性能的影响第54页
   ·外加反向电压对 4H-SiC p~+-n-n~+二极管性能的影响第54-55页
 5、4H-SiC p~+-n-n~+二极管的频率响应第55-57页
 6、小结第57-59页
四、总结与展望第59-61页
 1、总结第59-60页
 2、展望第60-61页
参考文献第61-71页
致谢第71-73页
攻读硕士期间发表的学术论文第73页

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