摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-9页 |
一、绪论 | 第9-17页 |
1、碳基器件的分类及应用 | 第9-14页 |
·金刚石器件 | 第9-10页 |
·富勒烯器件 | 第10页 |
·碳纳米管器件 | 第10-11页 |
·石墨烯器件 | 第11-12页 |
·碳基有机半导体器件 | 第12页 |
·锗硅碳器件 | 第12-13页 |
·碳化硅器件 | 第13-14页 |
2、碳基高频器件的应用分类 | 第14-15页 |
·声表面波(SAW)滤波器 | 第14页 |
·射频(RF)器件 | 第14-15页 |
·谐振器 | 第15页 |
3、本文的主要研究方法及主要工作 | 第15-17页 |
二、双层石墨烯高频场效应管双极性能的电压敏感性 | 第17-29页 |
1、引言 | 第17-18页 |
2、双层石墨烯高频场效应晶体管的建模 | 第18-20页 |
·器件结构 | 第18页 |
·沟道载流子的产生机制 | 第18-19页 |
·双层石墨烯高频场效应管的工作原理 | 第19-20页 |
3、结果及分析 | 第20-27页 |
·沟道载流子对栅电压和狄拉克点电压的依赖性 | 第20-21页 |
·漏电流对狄拉克点电压的依赖性 | 第21-23页 |
·转移曲线对狄拉克点电压及迁移率的依赖性 | 第23-24页 |
·跨导对狄拉克点电压及迁移率的依赖性 | 第24-25页 |
·双层石墨烯场效应管的频率响应 | 第25-27页 |
4、小结 | 第27-29页 |
三、4H-SiC p~+-n-n~+高频二极管正向及反向恢复特性 | 第29-59页 |
1、引言 | 第29-30页 |
2、4H-SiC p~+-n-n~+二极管的模型设计及工作原理 | 第30-42页 |
·4H-SiC p~+-n-n~+二极管的结构 | 第30-31页 |
·4H-SiC p~+-n-n~+二极管正向少子分布 | 第31-33页 |
·4H-SiC p~+-n-n~+二极管正向过程 | 第33-35页 |
·4H-SiC p~+-n-n~+二极管的正向恢复过程 | 第35-36页 |
·4H-SiC p-i-n 二极管的反向恢复过程 | 第36-37页 |
·4H-SiC p~+-n-n~+二极管反向载流子分布 | 第37-40页 |
·4H-SiC p~+-n-n~+二极管反向瞬变过程 | 第40-42页 |
·4H-SiC p~+-n-n~+二极管的频率响应 | 第42页 |
3、4H-SiC p~+-n-n~+二极管的正向导通特性 | 第42-47页 |
·极区少子寿命的对 4H-SiC p~+-n-n~+二极管正向性能的影响 | 第43-44页 |
·基区宽度对 4H-SiC p~+-n-n~+二极管正向性能的影响 | 第44页 |
·基区掺杂浓度对 4H-SiC p~+-n-n~+二极管正向性能的影响 | 第44-45页 |
·阳极受主浓度对 4H-SiC p~+-n-n~+二极管正向性能的影响 | 第45-46页 |
·阴极施主浓度对 4H-SiC p~+-n-n~+二极管正向性能的影响 | 第46-47页 |
4、4H-SiC p~+-n-n~+二极管的反向恢复特性 | 第47-55页 |
·4H-SiC p~+-n-n~+二极管反向恢复时的基区少子分布 | 第47-49页 |
·极区少子寿命的对 4H-SiC p~+-n-n~+二极管反向性能的影响 | 第49-50页 |
·基区宽度对 4H-SiC p~+-n-n~+二极管反向性能的影响 | 第50-51页 |
·基区掺杂浓度对 4H-SiC p~+-n-n~+二极管性能的影响 | 第51-52页 |
·阳极受主浓度对 4H-SiC p~+-n-n~+二极管反向性能的影响 | 第52-53页 |
·阴极施主浓度对 4H-SiC p~+-n-n~+二极管性能的影响 | 第53-54页 |
·初始正向电流密度对 4H-SiC p~+-n-n~+二极管性能的影响 | 第54页 |
·外加反向电压对 4H-SiC p~+-n-n~+二极管性能的影响 | 第54-55页 |
5、4H-SiC p~+-n-n~+二极管的频率响应 | 第55-57页 |
6、小结 | 第57-59页 |
四、总结与展望 | 第59-61页 |
1、总结 | 第59-60页 |
2、展望 | 第60-61页 |
参考文献 | 第61-71页 |
致谢 | 第71-73页 |
攻读硕士期间发表的学术论文 | 第73页 |