| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·研究意义与背景 | 第8-9页 |
| ·半导体器件的可靠性 | 第9-11页 |
| ·可靠性研究的历史与发展 | 第9-10页 |
| ·失效分析的概念 | 第10页 |
| ·失效分析的目的和意义 | 第10-11页 |
| ·论文的主要内容和架构 | 第11-14页 |
| 第二章 半导体器件的失效模式与失效机理 | 第14-22页 |
| ·失效模式 | 第14-15页 |
| ·失效机理 | 第15-20页 |
| ·ESD与EOS损伤 | 第16-18页 |
| ·工艺缺陷 | 第18页 |
| ·封装失效 | 第18-20页 |
| ·本章小结 | 第20-22页 |
| 第三章 半导体器件失效分析技术研究 | 第22-36页 |
| ·失效现象确认 | 第22-23页 |
| ·开封前检测 | 第23-25页 |
| ·外观检查 | 第23页 |
| ·X-Ray检查 | 第23-24页 |
| ·扫描声学显微镜检测 | 第24-25页 |
| ·打开封装 | 第25页 |
| ·光学显微镜检查 | 第25-26页 |
| ·电性能失效分析 | 第26-31页 |
| ·PEM显微镜 | 第26-30页 |
| ·OBIRCH分析技术 | 第30-31页 |
| ·物理失效分析 | 第31-35页 |
| ·剥层技术 | 第32-33页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第33页 |
| ·缺陷化学成分分析 | 第33-34页 |
| ·聚焦离子束 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 SIFT失效定位技术的研究与应用 | 第36-46页 |
| ·SIFT技术的工作原理 | 第36-38页 |
| ·SIFT技术在失效分析中的应用与研究 | 第38-44页 |
| ·定位漏电流引起的失效 | 第38-40页 |
| ·定位欧姆短路、金属互连短路引起的失效 | 第40-42页 |
| ·SIFT技术与EMMI联合定位缺陷 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 第五章 SOI电路可靠性筛选失效产品的失效机理研究 | 第46-58页 |
| ·SOI电路可靠性筛选试验 | 第46-47页 |
| ·老炼应力试验失效机理研究 | 第47-54页 |
| ·老炼应力筛选试验 | 第47页 |
| ·栅氧化层缺陷引发栅氧经时击穿 | 第47-51页 |
| ·热电应力引起的PN结热电击穿 | 第51-54页 |
| ·高温贮存筛选失效机理研究 | 第54-55页 |
| ·高温贮存筛选试验 | 第54页 |
| ·金属层电迁移引起的失效 | 第54-55页 |
| ·恒定加速度试验失效机理研究 | 第55-57页 |
| ·恒定加速度试验 | 第55页 |
| ·管壳残留金属丝引起的失效 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第六章 总结与展望 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 附录：作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第65页 |