摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-12页 |
第1章 绪论 | 第12-29页 |
·课题背景及研究的目的和意义 | 第12-14页 |
·光学电压互感器的类型和基本原理 | 第14-24页 |
·基于电光效应原理的 OVT | 第14-19页 |
·基于逆压电效应原理的 OVT | 第19-24页 |
·光学电压互感器的发展与研究现状 | 第24-26页 |
·光学电压互感器存在的主要问题 | 第26-27页 |
·课题来源和本文的主要研究内容 | 第27-29页 |
第2章 基于模间干涉全光纤电压互感器传感机理研究 | 第29-59页 |
·引言 | 第29-30页 |
·基于模间干涉原理的全光纤电压互感器整机结构 | 第30-31页 |
·保偏光纤模间干涉理论的研究 | 第31-45页 |
·保偏光纤的分类及基本参数 | 第31-33页 |
·光纤的线偏振模理论 | 第33-35页 |
·PMF 模间干涉的基本原理 | 第35-38页 |
·PMF 的模间干涉拍长计算公式的改进 | 第38-39页 |
·PMF 模间干涉特性的分析 | 第39-45页 |
·全光纤电压互感器中的传感原理 | 第45-55页 |
·压电效应及压电材料 | 第45-46页 |
·压电陶瓷 | 第46-47页 |
·石英晶体 | 第47-51页 |
·传感原理 | 第51-55页 |
·系统中光学器件的选择 | 第55-58页 |
·光源的选择 | 第55-56页 |
·石英晶体的选择 | 第56-57页 |
·PMF 的选择及匝数的确定 | 第57-58页 |
·本章小结 | 第58-59页 |
第3章 OVT 高压端内电场分析及结构设计 | 第59-75页 |
·引言 | 第59页 |
·电场仿真方法 | 第59-65页 |
·静电场的数值计算方法 | 第59-62页 |
·电场分析的有限元法 | 第62-65页 |
·OVT 的高压端的基本结构 | 第65-66页 |
·OVT 高压端的内电场分析 | 第66-73页 |
·绝缘子内径变化对 OVT 高压端内电场的影响 | 第67-68页 |
·环氧树脂管厚度变化对 OVT 高压端内电场的影响 | 第68-69页 |
·石英晶体的支撑柱位置变化对 OVT 高压端内电场的影响 | 第69-70页 |
·石英晶体位置变化对 OVT 高压端内电场的影响 | 第70-72页 |
·OVT 高压端内的绝缘气体 | 第72-73页 |
·OVT 高压端结构设计总结 | 第73页 |
·本章小结 | 第73-75页 |
第4章 OVT 传感头性能影响因素的分析 | 第75-85页 |
·引言 | 第75页 |
·温度对 OVS 中石英晶体影响的理论分析 | 第75-77页 |
·石英晶体的热膨胀效应 | 第75-77页 |
·石英晶体压电系数的温度特性 | 第77页 |
·温度对 OVS 影响的理论分析 | 第77-81页 |
·OVS 的温度灵敏度系数 | 第77-80页 |
·温度灵敏度系数的求解 | 第80-81页 |
·温度问题的自适应解决方案 | 第81-83页 |
·OVS 结构因素的影响 | 第83页 |
·本章小结 | 第83-85页 |
第5章 椭圆芯 PMF 模间干涉输出边瓣的拾取 | 第85-94页 |
·引言 | 第85页 |
·椭圆芯 PMF 模间干涉的模场分析 | 第85-88页 |
·椭圆芯 PMF 模间干涉输出边瓣的拾取方案 | 第88-91页 |
·采用锥形光纤熔接方法的拾取方案 | 第88-89页 |
·采用锥形光纤熔接方法的拾取方案 | 第89页 |
·采用在远场适当位置放置探测器的拾取方案 | 第89-90页 |
·本文所设计的拾取方案 | 第90-91页 |
·模间干涉边瓣拾取方案的测试 | 第91-93页 |
·本章小结 | 第93-94页 |
第6章 基于模间干涉全光纤电压互感器的实验分析 | 第94-103页 |
·引言 | 第94页 |
·基于 PZT 的椭圆芯 PMF 模间干涉拍长的测量 | 第94-96页 |
·OVS 的温度稳定性实验 | 第96-98页 |
·基于模间干涉原理的全光纤电压互感器实验 | 第98-102页 |
·本章小结 | 第102-103页 |
结论 | 第103-105页 |
参考文献 | 第105-113页 |
攻读博士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第113-115页 |
致谢 | 第115-116页 |
作者简介 | 第116页 |