| 作者简介 | 第1-4页 |
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-22页 |
| ·RFIC ESD 的特点 | 第13-14页 |
| ·ESD 防护原理与防护器件 | 第14-19页 |
| ·ESD 防护的基本原理 | 第14-16页 |
| ·二极管 | 第16页 |
| ·双极型晶体管 | 第16-17页 |
| ·MOS 管 | 第17-18页 |
| ·SCR 结构 | 第18-19页 |
| ·本文的主要研究工作与内容安排 | 第19-22页 |
| 第二章 ESD 测试模型及 RFIC ESD 保护内容 | 第22-42页 |
| ·三种模型与 TLP 测试方法 | 第22-29页 |
| ·RF-ESD 设计的内容 | 第29-34页 |
| ·ESD 攻击模式 | 第29-30页 |
| ·输入端的保护 | 第30-31页 |
| ·输出端的 ESD 防护 | 第31-32页 |
| ·电源箝位 | 第32-33页 |
| ·全芯片 ESD 防护 | 第33-34页 |
| ·RF-ESD 设计的基本方法 | 第34-41页 |
| ·ESD 设计窗口 | 第34-36页 |
| ·替代法 | 第36-37页 |
| ·ESD 网络转化为匹配网络 | 第37-39页 |
| ·消减法和阻抗隔离技术 | 第39-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 ESD 器件选型和 LVTSCR 的 TLP 测试 | 第42-60页 |
| ·ESD 器件的选型 | 第42-44页 |
| ·ESD 仿真的理论基础 | 第44-48页 |
| ·半导体内部载流子的输运 | 第44-47页 |
| ·ESD 仿真中的物理模型 | 第47-48页 |
| ·LVTSCR 的 TLP 仿真测试及特性分析 | 第48-59页 |
| ·LVTSCR 的开关特性 | 第49-52页 |
| ·阳极串联电阻 Rs对 snapback 特性曲线的影响 | 第52-56页 |
| ·ESD 建立时间对器件特性的影响 | 第56-57页 |
| ·LVTSCR 的高频特性 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第四章 LVTSCR 结构改进与 ESD 匹配网络构建 | 第60-74页 |
| ·栅极电压 VG对 snapback 特性的影响 | 第60-61页 |
| ·结构参数对 snapback 特性的影响与结构改进 | 第61-65页 |
| ·带有 ESD 保护的匹配网络的建立 | 第65-73页 |
| ·二极管串网络 | 第65-67页 |
| ·二极管-电感网络 | 第67-68页 |
| ·LC tank 和 LC tank-diode 网络 | 第68-69页 |
| ·分布式网络 | 第69-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 第五章 基于网络 S 参数提取的 RF-ESD 协同设计方法 | 第74-98页 |
| ·技术背景 | 第74-75页 |
| ·输入结点寄生电容对放大器性能的影响 | 第75-78页 |
| ·对输入阻抗匹配的影响 | 第75-77页 |
| ·对噪声系数的影响 | 第77页 |
| ·减小 CP影响的措施 | 第77-78页 |
| ·RF-ESD 协同设计方法的基本思想 | 第78-81页 |
| ·5.25GHz 窄带 LNA-ESD 设计 | 第81-95页 |
| ·LNA 输入端结合二级单向 ESD 保护 | 第84-90页 |
| ·LNA 输入端结合二级双向 ESD 保护 | 第90-95页 |
| ·本章小结 | 第95-98页 |
| 第六章 减小 ESD 寄生参数的反馈补偿方法研究 | 第98-108页 |
| ·反馈补偿的基本原理 | 第98-101页 |
| ·对二极管串 ESD 匹配网络的补偿 | 第101-103页 |
| ·对双槽 LVTSCR ESD 保护结构的补偿 | 第103-106页 |
| ·本章小结 | 第106-108页 |
| 第七章 结束语 | 第108-112页 |
| ·本文的主要贡献 | 第108-110页 |
| ·今后的研究和发展方向 | 第110-112页 |
| 致谢 | 第112-114页 |
| 参考文献 | 第114-128页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果 | 第128-130页 |
