| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-32页 |
| ·铁电存储器的特点及其研究现状 | 第11-16页 |
| ·铁电薄膜材料基本物理特性 | 第16-22页 |
| ·铁电薄膜材料的选取及制备技术 | 第22-28页 |
| ·集成铁电薄膜中的若干机理及工艺问题 | 第28-30页 |
| ·本文的研究目的和主要内容 | 第30-32页 |
| 2 Bi_(4-x)La_xTi_3O_(12)铁电薄膜材料的设计与制备、表征 | 第32-49页 |
| ·Bi_(4-x)La_xTi_3O_(12)铁电薄膜材料的设计 | 第32-36页 |
| ·Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)铁电薄膜的制备 | 第36-42页 |
| ·Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)铁电薄膜的表征和性能测试 | 第42-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 3 退火工艺对Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)铁电薄膜性能影响的研究 | 第49-63页 |
| ·引言 | 第49页 |
| ·退火温度和气氛对BLT薄膜性能的影响 | 第49-56页 |
| ·退火气压对BLT薄膜性能的影响 | 第56-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 4 B位V掺杂对Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)铁电薄膜性能影响的研究 | 第63-82页 |
| ·引言 | 第63页 |
| ·V掺杂对BLT薄膜性能的影响 | 第63-75页 |
| ·不同V掺杂量对BLT薄膜性能的影响 | 第75-81页 |
| ·本章小结 | 第81-82页 |
| 5 掺V的BLT薄膜的紫外光辅助制备研究 | 第82-90页 |
| ·引言 | 第82页 |
| ·BLTV薄膜紫外光辅助制备方法 | 第82-83页 |
| ·紫外光辅助制备的BLTV薄膜的性能研究 | 第83-89页 |
| ·本章小结 | 第89-90页 |
| 6 BLT薄膜的晶粒形核及生长研究 | 第90-104页 |
| ·引言 | 第90-91页 |
| ·薄膜的形核研究 | 第91-97页 |
| ·BLT薄膜生长的模拟与实验验证 | 第97-102页 |
| ·本章小结 | 第102-104页 |
| 7 全文总结 | 第104-107页 |
| 致谢 | 第107-109页 |
| 参考文献 | 第109-121页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表和待发表的论文目录 | 第121-123页 |
| 附录2 已授权和申请中的专利 | 第123页 |
